这一轮由AI基础设施（HBM与企业级SSD）和传统换机周期共振引爆的存储芯片行情，被瑞银等机构称为**“三十年一遇的超级周期”**。 在2026年一季度DRAM均价环比暴涨约60%、NAND闪存暴涨超70%的疯狂背景下，市场原本预计的“2026年中见顶”共识已被彻底打破。根据当前的供需推演，整个行业的景气周期最短将持续到2027年下半年，最长可能一路跨越到2028年底。 一、 最短景气终点：2027 年第三/第四季度（业界硬底部） 这是目前全行业机构（如TrendForce、Gartner及主要投行）最为一致的基准预测。即无论外部宏观经济如何波动，这一轮景气度在2027年下半年之前都很难“熄火”。 • NAND 闪存：预计最短持续到 2027 年 Q3。 AI多模态大模型的爆发让企业级SSD（eSSD）供不应求，三星、长存等产线满载。由于闪存的扩产和技术升级周期相对较快，预计到2027年第三季度，新增产能的释放会逐渐抹平缺口，价格可能步入平稳或温和回落期。 • DRAM 内存：预计最短持续到 2027 年 Q4。 瑞银最新的行业报告明确指出，全球DRAM市场的供需缺口将硬性延续到2027年第四季度。这主要是因为“HBM（高带宽内存）的黑洞效应”——制造HBM要消耗大量传统DRAM晶圆的产能（占比将超过30%），导致普通DDR5、LPDDR5即使在2027年也面临物理上的“绝对断货”。 二、 最长景气终点：2028 年末（超级周期的极限延伸） 如果AI算力军备竞赛持续升级，且部分极端条件成立，这轮周期有可能被拉长至3年以上，直到2028年底。 • 长协订单锁死流动性： 美光等巨头披露的信息显示，英伟达、微软、谷歌等AI巨头为了确保自己的算力不掉队，已经通过长协订单（LTA）直接把产能锁定到了2028年。这意味着市场上可以自由流通、用于调节价格的现货存储芯片极少，价格操控权完全掌握在供应商手中。 • 技术迭代放缓（良率地狱）： 随着DRAM制程向1-gamma、1-delta节点迈进，以及HBM4转向更复杂的逻辑工艺（可能会用上台积电的先进制程底座），晶圆制造的良率爬坡会异常痛苦。供给端“挤牙膏”，就会被动拉长涨价周期。 $存储芯片概念(G000260.BK)$ $大普微(301666.SZ)$