【存储巨头加码AI内存产能扩产】 全球第三大存储芯片厂商美光科技获得日本政府大额产业补贴，正式落地下一代AI专用存储芯片制造基地扩建项目。此前，三星电子与SK海力士也宣布在韩国西南部集中建设四座新晶圆厂，全球存储产能扩张竞争全面展开。 7月4日，美光与日本经济产业省在广岛县东广岛厂区为新厂房举行奠基仪式。该项目总投资1.5万亿日元（约合14万亿韩元），将从2028年起分阶段量产，重点生产高带宽内存（HBM）等适配AI大模型和高性能服务器的高端存储产品。日本政府提供最高达总投资三分之一的补贴，约5360亿日元（约合5万亿韩元），显著降低企业建厂成本。 当前全球存储产业处于高景气周期，算力需求持续推高芯片订单。各国纷纷将存储芯片纳入战略扶持清单，通过财政补贴、税收减免等方式吸引产能落地，区域供应链博弈日益明显。 生成式AI和算力基础设施的快速发展导致存储芯片供需严重失衡。市场数据显示，2026年全球DRAM市场将出现12%的供给缺口；AI服务器专用DRAM需求同比增长105%，HBM需求增幅高达110%。短期内供需矛盾难以缓解，推动全球厂商集体扩产。 美光与日本的合作被视为日本重振半导体产业的关键一步。近年来，日本已引进台积电熊本厂，并支持本土企业Rapidus研发2纳米逻辑芯片。此次加码先进存储制造，旨在补齐产业链短板，构建覆盖材料、设备、代工和存储的完整本土体系。 日本希望凭借在电子化学品和精密设备领域的优势，借新增存储产能重夺芯片制造话语权。经济产业大臣赤泽亮司表示，实现高端存储芯片自主量产对保障本国产业安全和稳定全球算力供应链具有重要战略价值。 除海外布局外，美光也在加速本土扩产。公司正在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，并计划投资1000亿美元（约153万亿韩元）在纽约州打造超大型一体化制造基地，目标2030年全面投产。今年1月，美光还收购了中国台湾力积电的一座成熟制程晶圆厂，以快速扩充产能。美国各级政府通过专项法案，在资金、税收和土地等方面大力支持其全球扩张。 全球主要经济体同步推进存储产能建设。中国大陆厂商依托完整电子产业链，稳步推进成熟制程升级，聚焦通用DRAM量产。受出口管制影响，目前在HBM等高端领域与美韩仍有技术差距，但在通用存储市场具备稳定发展空间。 韩国两大存储巨头则展开高强度扩产竞赛。三星计划2026年11月实现平泽P4产线满产，2028年投产P5-1，2030年建成P5-2。SK海力士将于2027年实现清州M15X满产，2029年上半年量产M17新厂。两国企还联合政府推出国家级项目，拟投入约800万亿韩元，在西南地区新建四座专业晶圆厂，巩固韩国在全球高端存储市场的领先地位。 然而，行业最大的隐忧在于远期产能过剩风险。半导体晶圆厂建设周期长达三年以上，当前全球密集启动的项目，新增产能将集中在2028年后集中释放。市场机构普遍担忧届时将出现供给过剩。 Counterpoint Research警告，若2027年下半年起各地产能同步放量，DRAM和HBM价格可能大幅回调，行业景气周期或迅速转入下行。IBS首席执行官汉德尔·琼斯指出，2020年以来AI算力资本开支激增5至6倍，催生过度投资热情，但超前扩产将在2028年引发供给反噬。 当前存储行业既面临高增长机遇，也潜藏长期下行风险。业界开始重新评估大规模建厂的时间窗口。有观点认为，韩国西南部千亿级建厂规划可能存在投产滞后、错过需求红利的风险。首尔大学李钟浩教授表示，AI算力增长具有周期性，一旦下游数据中心和AI企业缩减开支，存储需求将快速降温，整条产业链将陷入库存与价格动荡，且难以迅速调整。 （来源：半导纵横） （原文标题：存储巨头加码AI内存产能扩产）