【功率半导体，正处于转折点】 全球电力电子行业正步入一个新阶段。在电气化和可再生能源的推动下，该行业经历了多年的快速扩张，如今企业正面临更为复杂的环境，包括产能过剩、价格压力、地缘政治紧张局势以及日益激烈的竞争。 在经历了2024-2025年动荡时期（地缘政治不确定性、电动汽车需求低于预期以及产能严重过剩）之后，电力电子行业正进入一个以整合、成本优化和竞争定位为重点的新阶段。尽管面临挑战，Yole Group预测，2025年至2031年间，功率器件市场将继续以7.1%的复合年增长率增长，到2031年达到413亿美元。 Yole表示，行业的优先事项正在发生变化：增长仍在继续，但重点已从扩张转向竞争力、成本优化和市场份额。2026年电力电子行业报告深入分析了影响该行业未来发展的战略因素，包括中国制造商的快速扩张、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术的演进，以及人工智能基础设施、数据中心、国防和航空航天领域对电力电子技术日益增长的需求。 英飞凌科技保持领先地位，意法半导体和安森美紧随其后，这反映了它们在硅、碳化硅和氮化镓功率半导体技术领域的强大实力。中国企业则在电力电子价值链各环节加速崛起。在电动汽车、光伏、风能和电池储能系统等领域强劲的国内需求支撑下，中国企业正迅速扩大其在碳化硅晶圆、功率器件和工业功率模块领域的市场份额，加剧了对现有全球供应商的竞争压力。 美银认为，中国功率半导体周期正进入一个更具建设性的阶段，主要基于两点：第一，AI相关应用（包括AI数据中心AIDC和AI服务器）带动增长前景改善；第二，供应链供给趋紧，尤其是MOSFET等低压/中压功率半导体，因此涨价将带来毛利率扩张机会。 该行预计，2026年下半年功率半导体器件仍有进一步提价的可能，这将成为板块估值重估的额外催化剂。原因在于，包括MOSFET在内的低压/中压功率半导体新增产能有限，而全球供应商似乎正将产能重新分配至价值量更高的AI/AIDC应用，从而进一步压缩传统工业客户的供应。 在中国功率半导体厂商中，对MOSFET、小信号器件等低压/中压功率半导体收入敞口更高的公司，将更充分受益于供给短缺。2025年中国功率分立器件市场规模为132亿美元，美银预计到2028年将增至177亿美元，对应2025-2028年复合增长率10%。 按应用领域看，计算与存储可能是增长最快的板块，2025-2028年复合增长率约30%，其次是工业（12%）和汽车（8%）。AI需求的关键机制不只是服务器数量增加，更在于单GPU和单机架功率密度显著提升。这将推动需求转向更高价值量的器件：板级VRM（电压调节模块）采用低压MOSFET/DrMOS，PSU（电源单元）与机架级供电采用高压MOSFET、SiC和GaN，未来800V HVDC架构则需要更多保护与功率转换器件。 年初至今，下游AIDC需求快速增长与上游成本上升共同推动行业新一轮涨价，涨价主要集中在2-3月和5-6月。新洁能、士兰微、华润微等多家厂商先后上调产品价格，幅度约10%-20%。考虑到交期延长以及国内功率半导体IDM厂商产能利用率较高，美银预计2026年下半年仍会出现更多涨价。 同时，未来几年国内功率半导体IDM的新增产能扩张将更为克制。根据产业调研，士兰微、华润微、中车时代电气、扬杰科技、捷捷微电和斯达半导合计产能在2025-2028年预计以约6%的复合增速扩张。 全球方面，主要功率半导体公司在2024-2025年经历了资本开支回落。全球功率半导体IDM正在把资本开支重新配置到更高价值量的技术，而不是普遍扩张成熟制程分立器件产能。2024-2025年，英飞凌重点推进居林200mm SiC/GaN扩产和德累斯顿Smart Power Fab；安森美优先投入垂直整合的SiC产能与GaN功率器件开发；意法半导体则将投资集中于300mm硅基工艺和200mm SiC。 展望2026-2027年，已披露的投资重点仍集中在SiC、GaN、智能功率/BCD、模拟混合信号以及AI数据中心电源。这意味着传统低压/中压功率分立器件的新增产能有限，从而为部分中国MOSFET供应商形成更有利的供需环境。

应用领域	2025-2028年复合增长率
计算与存储	30%
工业	12%
汽车	8%

（来源：半导纵横） （原文标题：功率半导体，正处于转折点）

【刘扬伟预告：鸿海将推全新半导体IPO】 今日鸿海董事长刘扬伟预告，集团将有半导体公司在台湾IPO，是一家从事IC设计相关业务的公司，预计将在创新板挂牌。外界猜测，最有可能的对象为鸿晶科技（Socle Technology）。 根据公开资料显示，鸿晶科技成立于2001年，是全球领先的SoC设计与实施服务供应商之一。公司拥有超过20年的经验，其IC ODM能力涵盖Silicon IP（知识产权）、验证及授权、ASIC外包产品服务（Turnkey Service）。 鸿晶总部位于中国台湾新竹科学园区，并在台北、高雄和中国（上海）设有分部。Socle Technology服务于从电脑和消费性电子产品到通信产品的广泛市场。客户不仅包括中国台湾重要的系统厂商及IC设计公司，也拓展至全球化市场，遍及北美、欧洲、日本、韩国及亚太地区。 不过，由于鸿海集团旗下半导体相关公司众多，新挂牌公司也有其他可能性，例如鸿扬半导体。该公司主要发展第三类材料功率半导体元件，提供电动车及绿能应用芯片的代工服务，并偕同客户共同提供电动车生态系中最佳的功率元件解决方案。 对于当前市场高度关注的AI需求是否真实、是否存在泡沫等问题，刘扬伟表示，从目前的市场经验与需求端结构来看，AI算力的需求未来只会越来越大，在可见的至少3到5年内将持续增长。 他将全球对AI算力的需求分为四大类别。第一类是率先投入的模型开发者（model maker），如OpenAI、Anthropic与Google等；第二类是云端服务供货商（CSP），如AWS及Google，这些业者已明确发现AI算力可增加营收与获利。 相较于前两类已有清晰应用变现模式的业者，刘扬伟指出，第三类与第四类的政府与企业目前多处于摸索阶段。尽管多数仍在寻找具体方向，但他强调，这两大群体非常清楚AI算力是未来趋势，“你躲不掉，你一定要去用它”。随着这两类用户逐步开拓应用，算力需求将在未来3到5年内持续扩大。 鸿海刚刚公布6月合并营收为新台币8,217.6亿元，为历年同期新高；2026年第二季营收达新台币2.51兆元，季增18.02%、年增39.83%，同样创历年同期新高。今年上半年累计营收达新台币4.64兆元，较去年同期增长34.99%，亦为历年同期最高。 鸿海表示，6月四大产品线中，组件与其他产品需求持稳；云端网络产品虽受AI拉货需求持续支撑，但因物料紧俏，表现与5月约略持平；消费智能及电脑终端产品则受拉货动能影响，较5月略微衰退。 不过，若与去年同期相比，6月四大产品线均实现强劲年成长：云端网络产品受益于AI产品拉货动能强劲；组件及其他产品因主要业务相关零组件及其他收入出货增加；消费智能产品拉货动能较佳；电脑终端产品则受益于新品拉货动能较强及售价提高。 观察第二季整体表现，云端网络、组件及其他、电脑终端产品均因AI云端产品拉货强劲、零组件出货增加、新品拉货及售价上涨而实现强劲年成长；消费智能产品亦因拉货动能较佳而显著年成长。 上半年来看，云端网络与组件及其他产品双双强劲年成长，主要受益于AI云端产品拉货及零组件出货增加；消费智能与电脑终端产品亦分别因拉货动能较佳、新品拉货及售价提升而显著年成长。 鸿海此前指出，尽管第二季为ICT传统淡季且处于新旧产品转换期，但受惠AI需求强劲，预期营收仍将维持显著季增与年增的双升趋势，实际表现符合预期。公司预期AI机柜将持续成长，加上ICT产品进入下半年旺季，营运将逐渐加温，第三季整体表现有望延续季增、年增双升态势。 （来源：半导纵横） （原文标题：刘扬伟预告：鸿海全新IPO在路上！）

【Omdia：2026年中国半导体市场将超8000亿美元，存储领域激增262.9%】 根据Omdia《2026年第二季度半导体应用领域市场预测工具（AMFT）—中国地区》最新报告，2026年中国半导体市场规模预计达8120.8亿美元，同比增长92.9%。相较此前预测的5465亿美元，上调了2656亿美元，增幅达48.6%。 这一大幅上修主要源于AI技术在全球范围内的普及和大规模部署。作为AI发展的重要推动者之一，中国将在2026年大规模展开AI基础设施建设，带动计算与存储类半导体需求激增。该类别增长率预计达126%，占整体中国半导体市场的62.9%。全球范围内，2026年半导体总规模将突破1.6万亿美元，其中计算与存储占比为60.7%，显示中国产业形态正与全球同步迈入AI驱动时代。 在具体芯片类别中，存储芯片表现尤为突出。2026年中国存储芯片市场规模预计达4496亿美元，同比增长262.9%，市场份额从2025年的29.4%跃升至55.4%，并有望长期维持过半占比。同期全球存储芯片市场规模预计为8864亿美元，占全球半导体总规模的54.8%。 AI对存储需求的拉动体现在云端训练、推理以及边缘端和终端侧推理对高容量、高性能存储的迫切需求，进一步加剧了供需紧张局面。除存储外，逻辑芯片预计增长27.9%，模拟IC增长25.4%，主要集中在高端算力芯片及服务器相关的高规格电源管理芯片。微控制器增长15%，受益于端侧AI尤其是物理AI催生的新应用场景。 2026年被视为AI推理爆发元年。中国本土AI算力芯片厂商凭借对应用场景的深度理解，在边侧和端侧提供更完整的硬件解决方案。随着“芯模协同”趋势加强，国产AI模型与本土算力平台在产品定义和生态共建方面日益紧密耦合。 AI的全面普及为中国半导体产业带来显著提振，尤其在成熟制程和功率器件领域。产能持续扩充为国产芯片提供了更充足的制造保障，而AI基建带来的旺盛需求则有效提升国产芯片利用率，并带动上游供应链订单与产能利用率同步上升。 工信部数据显示，2026年1—5月，中国电子信息制造业整体运行良好。规模以上企业增加值同比增长14.6%，高于工业整体9.2个百分点、高技术制造业1.5个百分点；5月单月同比增长17%。 主要产品产量方面，手机总产量5.62亿台，同比下降1.3%，但智能手机产量4.77亿台，同比增长3.3%；微型计算机设备产量1.19亿台，同比下降12.2%；集成电路产量2286亿块，同比增长25.4%。 出口方面，1—5月累计出口交货值同比增长6.1%，5月单月增长9.9%。海关统计显示，同期出口电视机4260万台（+4.2%）、手机2.72亿台（-2.5%）、集成电路1478亿个（+8.7%）。 经济效益显著提升。1—5月实现营业收入7.52万亿元，同比增长17.1%；营业成本6.42万亿元，增长13.9%；利润总额4220亿元，同比大增104%。5月单月营收1.64万亿元，同比增长22.2%。 投资方面，1—5月电子信息制造业固定资产投资同比增长6.7%，较1—4月加快1.3个百分点，高出同期工业投资增速6.6个百分点，显示行业信心增强，扩产意愿积极。

指标	2026年1—5月同比变化
电子信息制造业增加值	+14.6%
手机产量	-1.3%
智能手机产量	+3.3%
微型计算机设备产量	-12.2%
集成电路产量	+25.4%
出口交货值	+6.1%
营业收入	+17.1%
利润总额	+104%
固定资产投资	+6.7%

（来源：半导纵横） （原文标题：Omdia：2026年中国半导体市场超8000亿美金，存储暴涨262.9%）

【联电第二季度营收创15季新高】 7月6日，全球第三大晶圆代工厂联华电子（联电）发布2026年6月未经审计合并营收公告，单月、单季度及上半年营收均实现同比与环比双增长。第二季度营收达146亿元人民币，环比增长12.6%，同比增长16.97%，创下近15个季度以来的新高，印证成熟制程芯片市场供需持续收紧，行业复苏超预期。 2026年6月，联电单月营收约49亿元人民币，环比微增0.79%，同比大幅增长22.8%。上半年累计营收达276亿元人民币，同比增长11.28%，为全年稳健增长奠定基础。从季度走势看，4月营收48.14亿元，同比增长10.8%；5月继续上行，6月站稳48.85亿元关口，未现传统淡季回落现象。 业绩增长的核心驱动力来自多领域需求同步回暖，叠加AI产业外溢效应传导至成熟制程赛道，带动8英寸与12英寸晶圆投片需求全面释放。作为专注22nm、28nm及以上成熟特色制程的头部代工厂，联电受益于供需格局的根本性转变。 供给端方面，台积电、三星等大厂持续缩减8英寸产线产能，将资源集中于3nm、2nm先进制程，导致全球8英寸晶圆代工总产能收缩，2026年行业整体产能同比小幅下滑。需求端则呈现多点爆发：AI服务器和边缘设备大量采用基于成熟制程的电源管理芯片（PMIC）和驱动芯片；汽车电子、工业控制、通信射频及消费电子等领域同步复苏，车规级功率器件、传感器和显示驱动芯片订单饱满。 联电此前财报说明会指出，22nm与28nm特色制程已成为提升平均晶圆售价（ASP）的核心支柱，其中22nm营收占比屡创新高。高压BCD、射频及车规芯片等高附加值产品占比持续上升，优化产品结构，推升营收与盈利空间。二季度晶圆产能利用率突破82%，产线接近满负荷运转，客户长单锁定比例提升，以规避后续涨价与产能紧张风险。 价格端亦提供有力支撑。联电自2026年7月1日起执行新一轮晶圆涨价，覆盖全部制程平台：8英寸晶圆涨幅10%-15%，12英寸成熟制程上调5%-10%，根据客户合作年限与订单规模差异化调整。这是近十年首次大范围全面调价，与二季度高增长形成双向印证——旺盛需求赋予代工厂调价底气，涨价后ASP提升将持续增厚下半年营收与毛利。机构普遍预计三季度营收将继续增长。 从下游市场结构看，通信领域是上半年重要增长引擎，5G基站与物联网芯片订单放量；工业与汽车电子板块韧性最强，新能源车渗透率提升带动车载功率半导体与MCU需求高景气，联电车规认证工艺落地吸引恩智浦、英飞凌及海内外车企供应商持续投片；传统消费电子终端库存去化完成，电视、平板、小家电配套芯片订单回温，有效对冲单一行业波动风险，增强营收稳定性。 资本市场对此给予积极反馈，公告发布后联电美股盘前股价显著走高，年内涨幅大幅跑赢半导体指数。资金看好成熟制程赛道的长期逻辑：相较于资本开支高昂、竞争激烈的先进制程，成熟制程具备重资产、低技术迭代淘汰率和稳定现金流特点，成为避险与布局周期上行的核心标的。当前全球晶圆代工市场明显分化，成熟制程因供需错配迎来2-3年景气上行周期，联电凭借完善的特色工艺平台与全球多点产能布局，充分享受行业红利。 展望下半年，产业链机构保持乐观。短期看，7月涨价落地将直接推高三季ASP，叠加消费电子传统旺季备货及AI边缘设备订单释放，单月营收有望延续增长；中长期看，联电新加坡新厂产能逐步释放，与英特尔在12nm工艺合作深化，特色工艺研发加码，车规、射频、高压功率芯片业务将打开新增长空间。同时，全球成熟制程产能扩张缓慢，短期供给缺口难补，行业高景气具备持续性。 （来源：半导纵横） （原文标题：联电第二季度营收创15季新高）

【单月1206亿！半导体连涨15个月创历史新高】 2026年5月全球半导体销售额达1206亿美元，环比增长9.2%，同比增长104.1%。该数据由世界半导体贸易统计组织（WSTS）汇编，采用三个月移动平均值。这是自2025年3月以来连续第15个月实现环比增长，刷新单月销售历史纪录。 SIA总裁兼首席执行官约翰·纽弗表示，市场持续大幅增长主要受美洲、亚太地区和中国强劲的同比涨幅驱动。从2026年1月至5月，全球销售额由825亿美元攀升至1206亿美元，五个月增长超46%，增速罕见。2026年第一季度总销售额达2985亿美元，环比增长25%，创季度新高。 与2025年同期相比，增长更为显著。2025年5月销售额为591亿美元，同比增长19.8%；而2026年5月同比增幅高达104.1%，增速扩大五倍以上。2025年全年销售额为7917亿美元，同比增长25.6%，创年度纪录。进入2026年后，增长曲线进一步陡峭。SIA已背书WSTS春季预测：2026年全球销售额将达1.5万亿美元（同比增长90%），2027年有望突破1.9万亿美元。 分区域看，2026年5月同比涨幅分别为：美洲132.2%、亚太/其他地区118.9%、中国88.8%、欧洲60.7%、日本23.8%。环比涨幅为：中国10.7%、亚太/其他地区9.2%、美洲8.6%、欧洲7.3%、日本6.4%。 对比前几个月数据可见明显趋势：美洲同比增速逐月加快，从3月83.1%升至5月132.2%，反映AI基础设施投资拉动下的强劲需求；亚太/其他地区同比增速也稳步提升，5月达118.9%；中国同比增速从3月74.8%升至5月88.8%，持续加速；日本虽增速最低，但也从3月7.4%升至5月23.8%，改善明显。 环比方面，各区域均保持正增长。美洲4月环比激增16.7%后，5月回落至8.6%，显示需求阶段性释放后趋于平稳；中国环比增速在3月达12.7%，4月降至8%，5月回升至10.7%，整体维持高位波动。 本轮爆发式增长主要由人工智能基础设施和加速计算平台需求驱动。逻辑芯片和存储芯片是增长最快类别：2025年逻辑芯片销售额3019亿美元（+39.9%），存储芯片2231亿美元（+34.8%）。随着AI向边缘端延伸，叠加物联网、6G通信、自动驾驶等技术加速商业化，行业增长动能将持续释放。 纽弗强调，未来数年全球半导体市场将持续扩张，政策制定者需营造有利于创新和国际竞争的环境。

月份	全球销售额（亿美元）	环比增长率	同比增长率
2026年5月	1206	9.2%	104.1%
2026年4月	1105	11.0%	93.9%
2026年3月	995	11.5%	79.2%
2026年2月	约893	—	—
2026年1月	约825	—	—
2025年12月	789	2.7%	—
2025年全年	7917	—	25.6%

（来源：半导纵横） （原文标题：单月1206亿！半导体连涨15个月创历史新高）

【康宁GlassBridge瞄准长期封装变革，短期难替代FAU】 GlassBridge仅为早期技术探索成果，并非商用产品，距离规模化量产尚远。 康宁推出一款尚处于早期研发阶段的光纤转芯片连接器概念产品；该技术若发展成熟，或将重塑光封装格局，但康宁表示这项技术距离商用仍有很长一段路要走。GlassBridge面向先进系统中的无源对准场景，凸显人工智能基础设施、光子学与封装技术的融合发展趋势。 康宁于6月末发布GlassBridge光纤转光子集成电路连接器概念方案，称其是一种适用于光纤芯片耦合的晶圆级无源对准技术。康宁表示，该方案仅为早期技术探索成果，并非商用产品，距离规模化量产尚远。 这份澄清至关重要，此前市场一度认为GlassBridge可能颠覆光纤阵列单元（FAU）供应链。康宁表示，推出该方案的真正目的，是验证其自研平面玻璃IOX波导技术能否解决光子与半导体封装领域的耦合难题。 康宁补充，即便GlassBridge最终实现商用，也仅能在特定架构下作为传统FAU的替代方案，能否落地还要取决于密度指标、组装工艺以及各类场景的专属需求。该概念方案并非旨在全面取代所有应用场景下的FAU，更无意替代光纤本身。 康宁着重强调，无论封装架构如何迭代，光纤始终是人工智能与数据中心基础设施的核心载体。GlassBridge只是公司布局下一代光连接技术的多项中长期研发项目之一。 此番表态发布之际，市场再度聚焦康宁与英伟达多年合作项目。双方于5月初官宣合作，旨在扩充美国本土光连接产品制造产能。康宁光子连接解决方案业务总监Daniel Orr表示，本次合作意在夯实美国本土人工智能基础设施供应链；康宁计划将相关产能提升十倍，同时把美国光纤产能扩产五成以上。 Orr介绍，此次扩产包含北卡罗来纳州与得克萨斯州三座全新先进生产基地。康宁目前正为英伟达现有GPU平台及未来基于共封装光学（CPO）的架构提供高性能线缆方案。他表示，随着人工智能算力工厂加速落地，合作目标是提供具备大规模量产能力、高性能与高可靠性的配套产品。 被问及合作协议是否包含独家供货条款时，Orr并未透露细节，仅称这是一份多年期商业与技术合作协议。他表示，康宁在光纤创新、精密加工、连接器成套技术领域积累的经验，能够充分适配人工智能系统愈发严苛的性能标准。 康宁同时大力推广现有产品线中可应对高密度需求的产品。Orr举例，同等线缆外径下，部分线缆可实现光纤数量翻倍；还有多芯光纤方案，在标准125微米包层尺寸内，单根光纤传输容量提升四倍。康宁称，这类产品优势可减少连接器使用数量、降低线缆自重并缩短施工部署时长。 针对行业整体从铜线向光互连转型的大趋势，Orr表示，行业切换不会卡在单一速率门槛（例如1.6T、3.2T系统）。康宁认为，传输距离越长、算力集群规模越大，铜线的物理性能短板会愈发凸显，光链路的价值也会随之提升。 康宁同时将玻璃视为先进封装领域具备长期发展潜力的材料。Orr称，公司目前已向半导体行业供应热膨胀系数匹配的玻璃晶圆与面板，可用于高带宽内存、2.5D/3D封装、扇出型封装等场景。 康宁认为玻璃适配未来封装技术路线，得益于其优异的热学与力学性能，可支撑更大尺寸基板、降低翘曲度、实现更高互连密度。康宁坦言，玻璃基板想要形成可观营收，仍需完成全产业链认证与规模化落地；伴随相关市场发展，公司会持续开展技术研发与产业合作。 随着台积电CoWoS与共封装光学（CPO）架构持续迭代，行业正不断推进硅基芯片、光子器件与光纤互连的深度集成。康宁正为此转型做好技术储备，布局更高精度FAU-光子集成电路对准工艺、可规模化无源对准方案、高端光纤阵列，同时与光子集成电路、封装设计开展协同优化。 （来源：半导纵横） （原文标题：康宁GlassBridge瞄准长期封装变革，短期无法替代FAU）

【三星CXL 3.1内存量产推迟至明年】 三星电子推迟基于CXL（高速互联标准）3.1的内存模组（CMM-D 3.0）量产计划，主要原因是英特尔、AMD等厂商搭载CXL 3.1的中央处理器（CPU）上市进度延后。 业内消息显示，三星电子现阶段将持续量产基于CXL 2.0标准的内存模组CMM-D 2.0。公司原计划于今年6月推进CMM-D 3.0客户样品试制工作，现已推迟相关日程。 业内相关人士表示：“企业优先扩产CXL 2.0以匹配当下市场需求，叠加CXL 3.1产业生态尚未搭建完成，市场规模化落地时间延后。今年第四季度CXL 3.1产品产出将以样品测试为主要目的，正式大规模量产预计推迟至明年。” CXL是基于PCIe（高速串行计算机扩展总线标准）接口的互联技术。二者数据传输协议存在差异，但物理接口、传输带宽性能保持一致。其中CXL 3.1适配PCIe 6.0，CXL 2.0则依托PCIe 5.0实现传输。若要实现PCIe 6.0完整性能，服务器CPU、图形处理器（GPU）、固态硬盘（SSD）、主板等配套硬件缺一不可，但目前绝大多数支持PCIe 6.0的零部件均未正式上市。 相关业内人士解释：“英特尔与AMD均尚未推出支持PCIe 6.0的CPU，只有英特尔Diamond Rapids、AMD Genoa Venice等新一代平台供货后，服务器厂商才能全面导入CXL 3.1方案。”英特尔面向服务器的Diamond Rapids处理器上市时间，已从今年下半年推迟至明年二、三季度。 AMD Genoa Venice处理器定于今年下半年推出，目前工程样品（ES）已向各大头部企业交付。三星电子计划在今年9月之后，产出适配Genoa Venice平台验证的CMM-D 3.0样品，待通过客户质量验证后启动量产，量产时点锁定明年一季度。 三星电子最初规划于去年年末对外发布相关样品。三星电子常务宋泽相曾在去年10月美国圣何塞开放计算项目（OCP）全球峰会上表态：“2025年第四季度，我们将推出业内首款符合CXL 3.1标准的CMM-D产品。” 行业分析认为，通用DRAM内存模组、高带宽内存（HBM）需求集中爆发，市场对CXL赛道关注度有所降温，再叠加CXL 3.1生态建设进度不及预期，多重因素促使三星电子延后量产计划。 CXL协议通过引入内存一致性、缓存共享等创新机制，为现代计算架构带来了显著优势。其主要技术特点包括：一是高带宽与低延迟，依托PCIe物理层实现内存级访问性能，有效扩展内存带宽与容量；二是支持内存池化与共享，允许多台服务器动态调度或共同访问同一内存资源，提升整体利用率；三是具备良好的协议兼容性，可无缝衔接现有PCIe生态，降低系统升级与部署成本；四是支持异构计算协同，能够高效连接CPU、GPU、加速器及内存扩展设备，为AI等数据密集型场景提供统一的高性能互联底座。 短期来看，CXL技术将向两大方向演进，一是CXL Memory Pooling（内存池化）：跨服务器动态调度内存资源，结合AI算法实现智能分配，提高系统整体内存利用率。二是CXL Memory Sharing（内存共享）：CXL可以使不同服务器访问同一片内存区域，从而达成数据共享，搭配合理的系统设计方案，可以避免网络传输带来的开销，进而提升系统性能。 长期来看，CXL有望推动数据中心架构的根本性变革，使其从以计算为中心逐步演进至以内存/存储为中心，帮助AI开发者以更低成本、更高效率完成大模型的训练与部署。 （来源：半导纵横） （原文标题：三星CXL 3.1内存量产推迟至明年）

【存储巨头加码AI内存产能扩产】 全球第三大存储芯片厂商美光科技获得日本政府大额产业补贴，正式落地下一代AI专用存储芯片制造基地扩建项目。此前，三星电子与SK海力士也宣布在韩国西南部集中建设四座新晶圆厂，全球存储产能扩张竞争全面展开。 7月4日，美光与日本经济产业省在广岛县东广岛厂区为新厂房举行奠基仪式。该项目总投资1.5万亿日元（约合14万亿韩元），将从2028年起分阶段量产，重点生产高带宽内存（HBM）等适配AI大模型和高性能服务器的高端存储产品。日本政府提供最高达总投资三分之一的补贴，约5360亿日元（约合5万亿韩元），显著降低企业建厂成本。 当前全球存储产业处于高景气周期，算力需求持续推高芯片订单。各国纷纷将存储芯片纳入战略扶持清单，通过财政补贴、税收减免等方式吸引产能落地，区域供应链博弈日益明显。 生成式AI和算力基础设施的快速发展导致存储芯片供需严重失衡。市场数据显示，2026年全球DRAM市场将出现12%的供给缺口；AI服务器专用DRAM需求同比增长105%，HBM需求增幅高达110%。短期内供需矛盾难以缓解，推动全球厂商集体扩产。 美光与日本的合作被视为日本重振半导体产业的关键一步。近年来，日本已引进台积电熊本厂，并支持本土企业Rapidus研发2纳米逻辑芯片。此次加码先进存储制造，旨在补齐产业链短板，构建覆盖材料、设备、代工和存储的完整本土体系。 日本希望凭借在电子化学品和精密设备领域的优势，借新增存储产能重夺芯片制造话语权。经济产业大臣赤泽亮司表示，实现高端存储芯片自主量产对保障本国产业安全和稳定全球算力供应链具有重要战略价值。 除海外布局外，美光也在加速本土扩产。公司正在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，并计划投资1000亿美元（约153万亿韩元）在纽约州打造超大型一体化制造基地，目标2030年全面投产。今年1月，美光还收购了中国台湾力积电的一座成熟制程晶圆厂，以快速扩充产能。美国各级政府通过专项法案，在资金、税收和土地等方面大力支持其全球扩张。 全球主要经济体同步推进存储产能建设。中国大陆厂商依托完整电子产业链，稳步推进成熟制程升级，聚焦通用DRAM量产。受出口管制影响，目前在HBM等高端领域与美韩仍有技术差距，但在通用存储市场具备稳定发展空间。 韩国两大存储巨头则展开高强度扩产竞赛。三星计划2026年11月实现平泽P4产线满产，2028年投产P5-1，2030年建成P5-2。SK海力士将于2027年实现清州M15X满产，2029年上半年量产M17新厂。两国企还联合政府推出国家级项目，拟投入约800万亿韩元，在西南地区新建四座专业晶圆厂，巩固韩国在全球高端存储市场的领先地位。 然而，行业最大的隐忧在于远期产能过剩风险。半导体晶圆厂建设周期长达三年以上，当前全球密集启动的项目，新增产能将集中在2028年后集中释放。市场机构普遍担忧届时将出现供给过剩。 Counterpoint Research警告，若2027年下半年起各地产能同步放量，DRAM和HBM价格可能大幅回调，行业景气周期或迅速转入下行。IBS首席执行官汉德尔·琼斯指出，2020年以来AI算力资本开支激增5至6倍，催生过度投资热情，但超前扩产将在2028年引发供给反噬。 当前存储行业既面临高增长机遇，也潜藏长期下行风险。业界开始重新评估大规模建厂的时间窗口。有观点认为，韩国西南部千亿级建厂规划可能存在投产滞后、错过需求红利的风险。首尔大学李钟浩教授表示，AI算力增长具有周期性，一旦下游数据中心和AI企业缩减开支，存储需求将快速降温，整条产业链将陷入库存与价格动荡，且难以迅速调整。 （来源：半导纵横） （原文标题：存储巨头加码AI内存产能扩产）

【高端MLCC订单出货比创新高，2026下半年紧缺风险上升】 TrendForce最新多层陶瓷电容器（MLCC）行业调研显示，AI服务器平台迭代速度加快，云服务商自研定制专用芯片出货量持续攀升，大幅拉动高端MLCC市场需求。 截至2026年6月末，日韩三大头部厂商村田、三星电机、太阳诱电订单出货比（BB Ratio）分别升至1.30、1.31、1.25，均创下新冠疫情爆发以来峰值；全球MLCC行业整体订单出货比同步上涨至1.04。 值得关注的是，村田2026年一季度财报显示，其订单未交付比达1.27，超越2018年行业MLCC严重紧缺周期初期1.25的历史高点。这意味着厂商未交付订单正在快速积压，元件供应短缺风险持续走高。 TrendForce指出，当前MLCC市场需求呈现严重两极分化格局。美国5月居民消费价格指数（CPI）同比上涨4.2%，居高不下的利率持续削弱居民消费能力，智能手机、笔记本电脑需求持续承压。 与此同时，英特尔、AMD优先排产AI专用处理器，削减传统PC芯片供货量。各大原始设计制造商（ODM）只能通过紧急现货渠道采购元器件，进一步推升原材料采购成本。与之形成对比的是，谷歌TPU、亚马逊Trainium、Meta MTIA等定制AI加速平台大规模量产，带动大容量、低压、微型化高端MLCC需求持续暴涨。 供给端层面，厂商优先生产AI高端MLCC带来的产能挤出效应，已传导至车用与消费电子两大市场。苹果供应链较往年提前1至2个月备货；车用ODM厂商也将采购周期从7月提前至5月，反映出行业普遍担忧2026年下半年出现供货缺口。 国内渠道商自6月起上调主流X5R系列消费级MLCC报价，平均涨幅15%~25%，加剧市场缺货焦虑。日韩大厂持续倾斜产能承接AI高端MLCC订单，TrendForce预测，国巨、华新科技、风华高科等厂商，将在三季度承接外溢的中大容量X5R消费级MLCC订单，迎来需求红利。 值得一提的是，国巨刚刚通知客户，自7月1日起调涨电容器解决方案全系列产品线价格，涵盖积层陶瓷电容（MLCC）、铝电解电容、钽质电容、高分子铝电容、薄膜电容及超级电容等，是国巨近年来调涨范围最大一波。根据国巨法说会的资料显示，光钽电、MLCC合计营收占比约43%，再加上铝电、固态铝电等等，供应链估计调涨的产品覆盖国巨50%营收。 天风证券研报也指出，AI服务器推动MLCC总电容量提升，高电容密度成为核心方向。供需结构分化支撑高端MLCC价格上涨。2026年年中，其他MLCC制造商释放的信号进一步印证了高端AI服务器MLCC供应结构失衡的现状。高端MLCC扩产弹性有限，2026年下半年高端供给压力或进一步加剧。 展望2026年下半年，英伟达、谷歌、AMD新一代AI平台将于三季度进入量产，相关订单将持续占据大量产能利用率。叠加下游客户提前备货行为，高端MLCC交期或将进一步拉长、价格持续上行。四季度将成为判断高端MLCC市场是否全面陷入供应紧缺的关键窗口期。 （来源：半导纵横） （原文标题：高端MLCC订单出货比创新高，2026下半年紧缺风险上升）

【HBM混合键合导入时机未定，三星、SK海力士面临抉择难题】 原本预计搭载混合键合的下一代HBM产品，技术落地节点或将延后。 三星电子与SK海力士正陷入深度纠结，迟迟难以敲定面向下一代高带宽内存（HBM）导入混合键合技术的时机。核心原因在于，混合键合两大核心优势——减薄芯片堆叠厚度、强化散热性能，当下行业需求迫切度大幅下降。业内观点认为，只有当HBM I/O引脚数量迎来爆发式增长时，业界才会重新迫切推动混合键合落地。 业内消息显示，原本预计搭载混合键合的下一代HBM产品，技术落地节点或将延后。此前市场曾预判从第六代HBM4开始即可导入混合键合，但受技术难度等因素制约，该方案未能落地。 三星电子、SK海力士等头部存储厂商长期持续研发，计划将混合键合这一新一代封装工艺应用于HBM。当前HBM量产主流采用热压键合（TC键合）：在两颗DRAM之间制作微型凸点（Bump），填充起支撑作用的底部填充胶（Underfill），再通过高温加压完成堆叠贴合。 混合键合工艺可直接将DRAM铜布线相互对接，无需凸点结构，既能大幅缩减整体HBM厚度，还能优化散热表现、提升能效，同时可实现更高密度的内部数据传输I/O引脚排布。 行业最初预期三星、SK海力士最快在HBM4（第六代HBM）量产阶段启用混合键合，但两家企业最终仍沿用传统TC键合。目前市场最新预测显示，该工艺最快要到16层堆叠的HBM4E（第七代HBM）才有望搭载，落地时间整体向后推迟。 业内甚至有观点判断，混合键合导入时间会进一步延后，核心逻辑是其两大优势——缩减堆叠厚度、改善发热，现阶段行业刚需不足。 HBM整机厚度行业标准正持续放宽：五代产品HBM3E厚度标准为720微米，迭代至HBM4后上调至775微米，主要诱因是HBM4堆叠层数由8层、12层升级至12层、16层。据悉，国际半导体产业标准组织（JEDEC）正在研讨面向20层堆叠HBM5等下一代产品的厚度标准，上限放宽至900~1000微米。厚度标准放宽后，厂商无需极致压缩DRAM层间间距，大幅降低了键合工艺的研发与量产压力。 英伟达等核心客户对超高层数堆叠HBM的实际采购需求不及预期，也是关键变量。存储行业相关人士表示：“现阶段客户与存储厂之间针对16层HBM的落地洽谈并不活跃，短期来看12层堆叠版本仍会是HBM4E的主力出货产品。” 混合键合可去除导热性能较差的底部填充胶，因此对改善HBM发热问题具备天然优势。但三星电子、SK海力士近期另辟蹊径，研发全新散热方案：在HBM核心裸片侧边单独集成专用散热元件。三星将该技术命名为热传导模块（HPB），SK海力士则称之为iHBM（ICE HBM），两家企业均已开启测试，计划在HBM5产品中商用。

厂商	自研散热方案名称
三星电子	热传导模块（HPB）
SK海力士	iHBM（ICE HBM）

封装行业业内人士分析：“在裸片旁集成独立散热元件的工艺难度不高，基本不存在量产落地障碍，对存储企业而言是风险更低的稳妥方案。” 即便落地时间一再推迟，三星电子与SK海力士仍会持续推进混合键合研发。中长期下一代HBM的I/O引脚数量翻倍、布线密度大幅提升后，混合键合的工艺优势将无可替代。举例来看，HBM4的I/O引脚数量相较上一代HBM3E直接翻倍，达到2048个，这就要求大幅缩小芯片内部引脚间距。传统TC键合的凸点受热会发生侧向扩散，很难支撑更高密度I/O布局。 封装行业业内人士透露：“行业已在探讨，中长期HBM5E的I/O引脚数量将再度翻倍至4096个。届时引脚间距会被压缩到极致，必须依靠混合键合工艺才能实现量产。” （来源：半导纵横） （原文标题：HBM混合键合导入时机未定，三星、SK海力士犯了难）

【超越单芯片：AI竞争转向机架与POD集群规模】 AI算力需求正呈指数级增长，增速大幅超越摩尔定律，同时设备功耗与综合成本压力持续攀升。衡量AI算力效率的核心指标不再是单颗芯片性能，而是机架级每瓦算力与单位总拥有成本算力。这标志着行业正迎来重大转型：半导体厂商必须从单一芯片供应商，转型为机架、整机柜集群级整体解决方案服务商。 这场变革已渗透AI数据中心基础设施的每一层：存储层SSD整机柜集群规模持续扩容，计算与互联层则开启机架/整机柜集群维度的激烈竞争。 在此行业背景下，专用芯片（ASIC）设计与服务商的竞争格局也同步重构。本文将分析英伟达与各大云服务商（CSP）如何布局AI机架/整机柜集群赛道，以及Broadcom、Marvell、MediaTek、Global Unichip（GUC）、Alchip等ASIC设计企业，如何借助共封装光学（CPO）等互联技术，将业务边界从芯片层级拓展至机架与整机柜集群市场。 先明确术语定义：AI POD（交付单元）是一套独立AI算力单元，集成计算节点、网络、存储与配套软件。纵向扩展互联（Scale-up Interconnect，单系统内垂直扩容）是一套核心技术，可实现多芯片、跨机架设备以极低时延融合为统一算力系统，是机架/整机柜集群一体化集成的底层基础。 随着AI算力部署单元持续规模化，英伟达在2026年3月GTC大会不仅发布七款全新Rubin系列芯片，还推出五款MGX架构机架系统，可将上述芯片集成至单机架；多台机架通过交换机互联，即可搭建大规模VeraRubin整机柜集群。 为进一步完善AI数据中心硬件产品矩阵，英伟达近年先后从内存互联交换芯片厂商Enfabrica、AI推理语言处理单元（LPU）厂商Groq手中收购核心人才与技术授权，同时布局量子计算、光通信元器件企业，全方位打磨整机柜集群级极限算力性能。 为优化AI算力表现，各大云服务商不仅在自研推理芯片中搭载大容量片上静态内存（SRAM），还打造自有架构AI机架与整机柜集群。Google布局最为激进：早在2017年就落地自研芯片间互联技术ICI；2021年部署光电路交换机（OCS）；并计划2026年在TPUv8系列中搭载自研Axion CPU与Boardfly网络架构。 AWS计划在2026款Trainium3超算服务器中搭载自研NeuronLink互联方案与Graviton系列CPU；微软则将在Maia200整机柜集群部署以太网纵向扩展网络与Cobalt 200 CPU。Meta路线完全不同，采用开放计算项目（OCP）开源标准搭建标准化数据中心硬件生态，以此压缩整体部署成本。 云服务商自研AI机架/整机柜集群的行业趋势，倒逼ASIC设计与服务商跳出芯片业务，推出机架、整机柜集群级整套解决方案，为ASIC设计厂商开辟全新增量市场。 Broadcom与Marvell已搭建覆盖交换机、智能网卡（NIC）的完整产品线，同时在共封装光学（CPO）技术领域抢占先发优势；MediaTek、GUC、Alchip现阶段深耕AI芯片研发，积累成熟产品落地案例，计划依托CPO集成平台切入机架/整机柜集群赛道。 TrendForce指出，除AI主芯片外，CPO是上述六家头部企业全部重金投入的技术路线。这充分印证行业共识——CPO已成为决定下一代AI机架、整机柜集群算力性能的核心差异化技术。 （来源：半导纵横） （原文标题：超越单芯片：AI竞争转向机架与POD集群规模）

【都在喊“缺卡”，90%的AI芯片却被“浪费”了？】 全球最昂贵的浪费，正发生在最聪明的公司里。 当你因额度用尽而项目停摆时，AI公司总说“缺算力”。但事实可能并非如此。Epoch AI分析师估算，到2025年底，OpenAI等效拥有约170万块H100 GPU，相较2023年的10万块暴增17倍。英伟达市值突破3万亿美元，科技巨头每季砸下数百亿美元抢购芯片，似乎印证“算力即石油”的叙事。 然而，在播客Latent Space中，AI基础设施公司AMP创始人Anjney Midha指出：“像xAI这样的前沿实验室，GPU利用率可能不到10%。”这揭示了一个结构性行业秘密：大量算力被闲置。 MFU（模型浮点运算利用率）是衡量GPU有效算力的关键指标。若花5亿美元建集群但MFU仅10%，实际有效算力仅相当于5000万美元，其余4.5亿在空转。这些全球顶尖团队投入巨资却让90%算力闲置，问题显然不在个别管理失误。 Epoch AI分析师Josh You在报告中指出，前沿实验室的算力采购速度远超消耗速度，大量资源处于“储备”或“闲置”状态。Fujitsu 2024年《AI基础设施状态报告》显示，超75%企业在峰值负载下GPU利用率仍低于70%。VentureBeat甚至判断：“95%的AI基础设施开支被浪费。” 以一块H100云实例每小时30-50美元计，一个20块GPU的小型集群若利用率仅20%，每年浪费约20万美元。对拥有数万块GPU的实验室而言，损失可达数亿美元。这让人想起1990年代末电信业的“暗光纤”泡沫——铺设的光纤95%从未使用。但区别在于，当时缺乏需求，而如今AI算力需求明确存在。 问题出在哪里？aixenergy研究显示，AI训练中GPU有30%-65%时间在等待数据，即“数据饥饿”。GPU计算速度极快，但存储IO跟不上，导致高速公路上“收费站”成为瓶颈。更隐蔽的是，即使GPU处于“深层空闲状态”，仍消耗大量电力。Epoch AI数据显示，GPU占数据中心总功耗约40%，空转也在烧钱。 此外，行业常用“集群级SM利用率”作为监控指标，但该指标常包含无效操作，如数据搬运、内存同步等。因此，即便显示利用率70%，真实有效计算可能仅一半。峰值利用率如同“最佳季度营收”，不能代表日常效率。 当问题源于结构而非规模，盲目堆量只会放大浪费。解法也需结构性调整。Midha提出“outputmaxxing”（产出最大化）概念，并指出当前最佳实践者的MFU约为60%-70%，而行业均值远低于此。若将利用率从10%提升至60%，等同于不花钱将有效算力扩大6倍。 这与云计算早期相似：2000年代初企业服务器平均利用率仅10%-15%，后经虚拟化、容器化技术，如今云服务器利用率普遍达60%-70%。AI算力正处于类似拐点，系统性优化方案正在酝酿。 商业模式也在推动转变。早期“固定费用许可”模式鼓励浪费，因边际成本为零。如今行业转向按使用量计费，闲置成本从“背景噪音”变为“紧急事项”。每个空转周期都直接计入账单，“产出最大化”成为财务刚需。 环境压力同样倒逼效率革命。Towards Data Science指出，GPU闲置导致大量“无效碳排放”——电能未产出智能，仅转化为热能。Fujitsu等公司已发布白皮书聚焦“最大化GPU利用率”，DevZero、Prodia等基础设施企业也纷纷探讨优化策略。 长期以来，AI竞赛叙事聚焦“规模”：谁有最多GPU、最大模型、最高投入。但效率从未上头条。实际上，将利用率从15%提至50%，其价值可能超过多购10万块GPU。 Midha的“产出最大化”暗示范式转移：AI护城河正从“买更多算力”转向“榨取更多智能”。前者是资本消耗战，后者是工程精密战。前者的上限取决于银行账户和英伟达产能，后者的上限取决于对计算物理、分布式系统和数据工程的理解深度。 这不仅是一次优化，更是一门新学科的诞生。历史上每次基础设施革命都经历“疯狂建设—发现浪费—效率革命”的循环。铁路、电力、互联网、云计算皆如此。AI算力如今走到拐点。 但此次不同在于，过去优化的是“笨资源”（蒸汽、电力、带宽），而今优化的是用于创造智能的资源。唤醒一块空转GPU，不只是提升利用率百分比，更是增加世界上正在思考的硅基大脑数量。 或许，AI时代最关键的问题从来不是“能制造多少算力”，而是“已有算力中有多少真正在思考”。 （来源：半导纵横） （原文标题：都在喊“缺卡”，90%的AI芯片却被“浪费”了？）

【暴涨74394%！江波龙上半年净利预计达110亿元】 江波龙发布2026年半年度业绩预告，预计上半年归属于上市公司股东的净利润为92.00亿元至110.00亿元，同比增长62204%至74394%。 业绩大幅增长主要受益于下游需求增加以及全球存储晶圆产能总体增长有限，带动半导体存储产业景气度提升，为公司创造了良好的外部环境。同时，公司与多家全球主要存储晶圆原厂顺利续签晶圆供应协议（LTA或MOU），保障了存储晶圆的稳定供应，夯实了长远发展的资源基础。截至2026年一季度末，公司存货规模为179.61亿元。 报告期内，江波龙以自研芯片（如SPU主控芯片）和自研软件架构（如HLC等）为技术引领，依托自有高端封测产能，系统支撑端侧AI存储的多元综合需求。公司与AMD完成联合调优，实现SSD存储智能体和HLC技术支持下端侧AI产品DRAM使用量下降约40%的技术创新。 HLC技术基于江波龙自研高性能主控芯片、专属固件与系统级架构的协同配合，使SSD或UFS存储设备能够承接原本由DRAM负责的温冷数据缓存工作，将高度依赖DRAM的缓存负载精准卸载至NAND中，在维持系统性能的前提下有效降低终端设备的DRAM配置要求。 进入AI大模型时代，“内存墙”的物理限制与高昂的内存成本成为大模型在端侧AI广泛应用的重要阻碍。HLC技术及配套产品生态在保证用户体验基本不变的前提下，实现了NAND Flash与DRAM整体存储方案在成本和技术优化层面的最优解，具备广阔的市场应用前景。 针对端侧AI场景，江波龙已推出多款主控芯片以满足不同应用的个性化需求。例如，专为车载场景设计的USB主控芯片解决了普通U盘在汽车应用中的EMI（电磁干扰）问题。目前，车规级产品已大规模供应北美智能汽车及自动驾驶科技巨头等全球头部客户，并取得一定市场份额。 面向端侧AI对存储的高度定制化需求，旗下苏州元成并非定位于普通OSAT代工，而是致力于提升整体工程与制造能力，以更好支撑定制化产品的深度开发，提高产品附加值，并与原厂形成互补。未来，江波龙主控芯片布局将从嵌入式领域延伸至SSD、USB、SD卡等多个产品线，兼顾JEDEC标准需求与端侧AI应用场景的差异化需求。 近日，江波龙宣布已完成mSSD月产能百万级交付能力建设，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。 相较于PCBA板级组装方案，江波龙mSSD基于传统SSD技术体系完成进阶迭代，创新采用SiP系统级集成封装技术，将主控芯片、闪存芯片、电源管理芯片及各类被动元器件高度集成于单一封装体内，焊点减少至0个，突破传统BGA颗粒+PCB贴片的制造框架，从封装架构层面革新存储产品生产模式，实现从芯片晶圆到终端产品的“Office is Factory”模式。 （来源：半导纵横） （原文标题：暴涨74394%！江波龙半年净利冲110亿）

【汽车半导体市场加速增长，2035年CAGR预计达7.20%】 预计到2035年，全球汽车半导体市场规模将达到2138.8亿美元，年复合增长率为7.20%。亚太地区以42.7%的市场份额领先，而中东和非洲将以约19.4%的年复合增长率成为增速最快的区域。 2025年，动力总成与电气化占据最大收入份额，约为30.4%。高级驾驶辅助系统（ADAS）则是增长最快的细分市场，预计到2035年年复合增长率接近19.1%。 汽车半导体作为现代车辆的“电子大脑”，支撑从发动机管理、动力转向到ADAS、信息娱乐及自动驾驶等关键功能。主要产品包括微控制器、传感器、功率半导体、存储器件、模拟/混合信号IC及光电器件，共同推动汽车向软件定义方向演进。 市场增长由两大趋势驱动：一是区域电子电气架构将数十个独立电子控制单元（ECU）整合为少数高性能域控制器；二是全球监管强制新车配备先进安全功能。例如，欧盟《通用安全法规》与中国GB/T标准要求2026年起新车必须搭载自动紧急制动、车道保持及驾驶员监控系统。 据国际能源署数据，2024年全球电动汽车销量超1700万辆。纯电动车平台芯片价值约1200–1500美元，远高于内燃机车的600–700美元。 行业正从传统微控制器转向支持空中升级、实时传感器融合与L2+级自动驾驶的系统级芯片（SoC）。大众、宝马、现代等车企采用区域控制器替代分布式ECU网络，在降低电子硬件成本20–30%的同时，将中央处理器计算预算提升两倍，利好高性能SoC供应商。 技术方面，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙功率半导体因开关损耗比传统硅基IGBT低40–60%，成为800V电动车架构的关键。先进封装技术如小芯片、扇出型晶圆级封装和2.5D中介层，可集成多工艺节点IP模块，缩短上市时间30%，并降低中端车型成本。 按器件类型划分，2025年集成电路占比最大，反映集中式计算趋势。高通、英伟达、瑞萨等提供的SoC在单芯片上运行传感器融合、信息娱乐与车辆控制算法，提升平均售价。传感器与MEMS预计2035年前以18.8%的年复合增长率扩张，受益于激光雷达、雷达及舱内监控普及。分立半导体2025年规模达224.1亿美元，主要用于电动车逆变器；光电器件则以8.9%的年复合增长率增长。 按动力类型，2025年纯电动车占超50%份额，因其单车半导体数量超3000颗，远高于内燃机车的1500颗。混合动力车预计2035年前年复合增长7.8%，因需同时支持电力与燃烧系统。内燃机车虽产量下降，但为满足排放与ADAS改装需求，半导体用量持续增加，预计年复合增长达18.7%。 按应用领域，动力总成与电气化占30.4%；ADAS与自动驾驶增速最快（19.1% CAGR）；车身电子与舒适性规模达181.4亿美元；信息娱乐与连接性以8.4% CAGR增长；底盘与安全应用规模117.4亿美元，涵盖ABS、ESC及气囊控制。 商业模式方面，IDM（如英飞凌、恩智浦、瑞萨）占62.9%份额，因车企重视其供应链可控与质量保障。无晶圆厂厂商借助台积电、三星先进制程，以19.7% CAGR快速增长，主攻ADAS与信息娱乐SoC。代工厂市场规模85.4亿美元，政府支持正加速汽车专用产能扩张。 北美占全球24.0%，受《芯片法案》527亿美元补贴及自动驾驶测试推动。美国为主力，加拿大安大略省电池带投资支撑6.6% CAGR，墨西哥受益于近岸外包，市场规模21.8亿美元。 欧洲占23.0%，德国贡献区域34.2%收入，依托OEM研发及英飞凌/博世扩产。英国ADAS测试平台推动7.5% CAGR；法国意法半导体扩产贡献26.2亿美元；意大利卡塔尼亚晶圆厂投资助力增长。《欧洲芯片法案》430亿欧元目标催化德累斯顿、克罗勒等地晶圆厂建设。 亚太占42.7%，中国占区域52.3%，受益于新能源车补贴与本土晶圆厂扩张。印度FAME III及半导体激励计划推动11.8% CAGR；日本市场89.4亿美元，依托瑞萨、罗姆等成熟生态；韩国贡献区域10.5%；东盟通过泰-印尼电动车走廊实现9.2% CAGR。 南美洲2025年规模42.7亿美元，巴西占68.4%，其灵活燃料混合动力激励政策推动半导体用量上升。2024年该国生产超250万辆汽车。阿根廷依托锂矿与电池生态，实现5.5% CAGR。 中东和非洲增速最快（19.4% CAGR）。沙特“2030愿景”吸引Lucid、现代设厂，占区域35.8%收入；阿联酋智能出行试点推动10.1% CAGR；南非为非洲轻型车制造中心，贡献8.2亿美元；埃及CKD组装与本地化政策带来8.7% CAGR。 （来源：半导纵横） （原文标题：汽车半导体市场规模将加速增长，预计到2035年年复合增长率为7.20%）

【芯片冷却涌现大量“黑科技”】 英伟达、学术界与初创公司正密集推出突破性散热技术。当单颗AI加速器功耗逼近1000W、单机架功率接近1兆瓦时，空气冷却已触及物理极限。施耐德电气总裁直言：“一旦单芯片功耗超过阈值，液冷不再是可选项，而是必需品。”半导体产业正经历从芯片内部到数据中心外墙的全链路散热重构。 在芯片级散热领域，韩国科学技术院（KAIST）团队于6月16日发表突破性研究，将“歧管微通道”结构直接雕刻在硅芯片内部，形成高效冷却网络。该设计大幅缩短流体传输距离，显著降低流阻和泵送压力。实验中，系统实现106,000的冷却性能系数（COP），是2020年《Nature》纪录的10倍，意味着仅需十分之一泵送功率即可移除同等热量。即使在每平方厘米2000瓦的极端热负荷下，普通室温水也能将芯片温度控制在100°C以下。更重要的是，该工艺在350°C以下完成，完全兼容现有晶圆代工厂产线，无需巨额设备投资。据Fact.MR预测，全球微流控芯片冷却市场将从2025年的3.843亿美元增至2036年的28.6亿美元，年复合增长率达20%。 随着HBM向HBM5演进，堆叠层数预计达20层，热量积聚成为性能瓶颈。SK海力士于5月27日发布iHBM方案，在HBM堆栈与GPU间的D2D PHY接口中集成高导热、电绝缘的硅基冷却元件（ICE），构建额外散热通道，热阻降低30%。三星则在COMPUTEX 2026展示搭载HPB技术的HBM5模型，该技术已在HBM4E中验证，通过在D2D PHY区域引入独立硅基热路径改善导热。此前其Exynos 2600处理器应用铜基HPB结构，热阻降低16%。美光则聚焦低功耗路线，采用硅通孔（TSV）沟槽冷却技术，在芯片内部蚀刻微沟槽循环冷却液，并通过专利中的垂直散热TSV结构，在不增加裸片面积的前提下形成低阻热通道。三大存储厂商的竞争焦点已从带宽转向热管理，先进封装正将热传导路径纳入核心架构设计。 英伟达在系统层面推动变革。其2026年6月发布的Rubin平台是全球首个100%全液冷AI计算平台，GPU、CPU及网络组件均无风扇，依赖闭环液冷系统。冷却液为75%水与25%丙二醇混合物，入口温度高达45°C（传统约30°C），出口约55°C。高温冷却液使室外干式冷却器无需机械冷水机或蒸发塔即可高效散热——冷却温度每提升1°C，能耗成本降约4%。英伟达称该设计实现“零水消耗”，仅在极少数气候条件下需短暂启用冷水机组。对50兆瓦数据中心而言，年节省冷却能源与水费超400万美元。同时，机架密度提升三倍，噪音降至近乎静音。戴尔已推出无风扇PowerEdge XE8812服务器，单机架容纳144个GPU；Supermicro则交付Rubin NVL4液冷机架方案，并验证浸没式冷却技术。 液冷热潮催生初创公司融资潮。Accelsius完成6500万美元B轮融资，其NeuCool平台采用无水两相液冷，单插槽冷却能力超4500W，节能达50%。Omen AI获3100万美元A轮融资，开发微型光谱仪结合AI实时监测冷却液成分，预防因污染或磨损导致的停机。资本市场亦迅速反应：英伟达公布Rubin细节后，传统HVAC股票下跌，而Vertiv、施耐德电气等液冷布局企业市值显著上涨。BNP Paribas将Vertiv和Eaton列为AI冷却首选标的。 然而液冷并非万能解。芝加哥大学教授Andrew Chien指出，英伟达的“零水消耗”仅限数据中心边界内。据Xylem与Global Water Intelligence分析，到2050年，数据中心冷却用水仅占AI新增水耗的4%，而发电厂占54%，芯片制造占42%。此外，地理限制明显：45°C系统在温带可行，但在亚利桑那、新加坡等炎热地区仍需机械冷却——而这些恰是AI数据中心密集规划区。浸没式冷却虽能将PUE降至1.05、冷却能耗降94%（如KDDI在大阪的部署），但维护复杂、改造老旧设施困难，且前期投入高昂。更需警惕“杰文斯悖论”：单位算力冷却成本下降，可能刺激更大规模部署，反而抵消节能效果。 芯片冷却已从边缘工程环节跃升为AI基础设施的战略核心。从KAIST的微通道、存储厂商的封装热防御，到英伟达的全液冷架构，技术演进清晰指向“冷却系统不断逼近热源”。在算力驱动的新时代，热管理能力决定性能上限、部署密度与运营成本。它不再仅是物理问题，而成为AI时代的“新摩尔定律”，定义着算力增长的物理边界与商业天花板。掌握先进冷却技术，即是握住了未来AI算力版图的关键入场券。 （来源：半导纵横） （原文标题：芯片冷却，涌现大量“黑科技”）

【东微半导拟募资14.36亿元加码功率半导体】 近日，东微半导发布公告，拟发行可转债募集资金总额不超过14.36亿元，扣除发行费用后将用于新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目，并补充流动资金。 其中，新型功率器件技术和产品研发及产业化项目由苏州东微半导体股份有限公司实施，地点位于江苏省苏州市，总投资5.48亿元，拟使用募集资金不超过5.48亿元。项目建设期36个月，建成后将推动新研发产品在数据中心电源、新能源汽车、固态变压器等市场的规模销售，增强公司在高端功率半导体领域的技术竞争力，助力相关领域芯片国产化替代。 东微半导在功率半导体领域拥有超过十五年的技术积累。2025年公司研发费用达9231.76万元，同比增长21.93%；截至2025年末，研发人员数量同比增长13.04%，平均薪酬增长18.09%，为项目实施提供了坚实基础。 目前，公司在SiC MOSFET领域已取得关键进展：第二代、第三代650V和1200V平台多个产品进入稳定交付阶段，1700V系列产品通过客户测试并获订单，650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET已完成研发并推进客户验证。本项目将进一步拓展SiC器件耐压范围至3300V—10kV，推进SiC JFET、SiC Super Junction MOSFET等差异化产品研发，形成超高耐压SiC MOSFET及低内阻SiC JFET产品系列，保障数据中心电源、固态变压器等关键领域的SiC器件供应链安全。 同时，截至2025年末，公司在低压GaN HEMT技术方面取得阶段性突破，多个电压等级产品已完成扩充并积极推进客户验证与量产。本项目将推动高压、中压、低压GaN HEMT器件的研发及产业化，完善GaN产品矩阵，把握数据中心电源市场快速增长的窗口期。 此外，氧化镓（Ga₂O₃）已在大尺寸衬底上实现技术突破，预计未来2—3年其良率、一致性和可靠性问题将逐步解决，并在工业电源、快充桩、电网等领域进入批量应用阶段。据Yole预测，到2030年全球氧化镓功率器件市场规模将超20亿美元，2040年有望突破200亿美元，成为主流功率半导体材料之一。国内多家企业正积极布局第四代半导体材料及器件研发。为保持竞争力，东微半导已启动Ga₂O₃理论研究，与高校合作完成SBD仿真验证，并评估了Ga₂O₃衬底供应商。本项目将推动公司从理论研究向原型器件开发过渡，通过开发SBD和垂直MOSFET原型器件，建立自主设计与工艺能力，抢占下一代功率器件技术制高点。 2025年，东微半导实现营业收入12.53亿元。其中，工业及通信电源领域收入占比约38%，同比增长53%；车载充电机领域占比约22%，同比增长8%；光伏逆变器领域占比超7%，同比增长超100%；新能源汽车直流充电桩领域占比约6%，同比增长15%。车规与工业等领域整体营收占比达83%，构成公司收入增长的核心支撑。2026年第一季度，公司实现营收2.80亿元。 针对当前功率半导体行业价格变动及趋势，东微半导表示，下游数据中心、算力服务器、新能源车出口、光伏储能等领域需求旺盛，高端晶圆代工产能趋紧。公司产品定价受原材料成本、供需关系等多重因素影响，将根据市场行情适时调整策略，并通过技术升级提升产品竞争力，维持合理利润水平。 对于2026年全年收入预期，公司计划持续深耕工业级及车规级功率器件市场，包括数据中心、服务器电源及各类工业电源领域，巩固超级结产品的竞争优势，以超级结、屏蔽栅产品作为营收基本盘，同时积极拓展TGBT、SiC及功率模块产品的市场空间。此外，公司通过收购数字控制IC设计公司慧能泰部分股权，力求从单一功率器件供应商转型为提供一站式高性能系统解决方案的供应商，有望对公司营收和盈利能力产生积极影响。 （来源：半导纵横） （原文标题：东微半导：拟募资14.36亿元投功率半导体）

【存储涨价终于要停了，手机、PC承受能力已到极限】 这是近一年多来存储涨幅首次跌破20%关口，此前的季度涨幅动辄超过30%。 TrendForce最新发布的内存价格调查显示，2026年第三季度DRAM市场供应仍将非常紧张。然而，消费应用需求疲软以及基数扩大预计将使合同价格环比涨幅放缓至13%–18%。 NAND闪存的需求仍将主要由人工智能推理和大规模数据中心部署驱动。但由于合约价格已处于历史高位，且消费者需求放缓，消费者的价格容忍度已达极限。因此，预计NAND闪存合约价格环比将上涨10%至15%，增速明显低于前几个季度。 在PC DRAM市场，PC OEM厂商将继续通过补充库存来支持采购活动。然而，随着高成本组件逐步退出笔记本电脑库存，预计笔记本电脑零售价格将全面上涨，这将对全年出货量造成压力。 内存供应商将继续按约定向PC OEM和模块制造商交付2026年的内存数量，但持续向服务器应用重新分配产能正在减少PC DRAM的供应量。 对于服务器DRAM而言，基于x86 CPU和RDIMM内存配置的通用服务器凭借其强大的多任务处理能力，仍然是Agentic AI工作负载的主要内存平台。 随着CPU供应持续改善，预计到2027年服务器出货量将保持强劲增长，这将支撑RDIMM内存的持续消耗，并促进2026年下半年的库存增长。虽然服务器DRAM内存第三季度仍将供不应求，但由于部分采购受长期供应协议（LTA）的约束，价格涨幅预计将会放缓。 智能手机厂商预计将在第三季度提高零售价格，以抵消持续高企的LPDRAM成本，但价格上涨可能会对手机销量造成压力。面对疲软的消费者需求，智能手机品牌在生产计划和采购方面变得越来越保守，这可能会进一步降低对LPDRAM的需求。 尽管如此，供应商在分配产能时仍然优先考虑人工智能相关应用，导致LPDRAM供应紧张，并支撑了合同价格的进一步上涨。 在图形DRAM领域，NVIDIA的RTX PRO 6000 Blackwell并未像预期那样引发GDDR7的需求激增，而笔记本电脑出货量的疲软也降低了对GDDR6和GDDR7的需求。内存供应商也一直在灵活地将产能重新分配给其他主流产品，这使得图形DRAM的供应仍然紧张，并导致GDDR6/7的价格随着DRAM整体价格的上涨趋势而上涨。 用于电视、机顶盒和其他传统消费电子产品的消费级DRAM需求依然疲软。相反，包括汽车、服务器固态硬盘和网络设备在内的利基应用领域则继续表现相对良好。与此同时，主要供应商加速退出消费级DRAM市场引发的订单转移仍在持续，阻止了潜在需求出现任何实质性下降。 此外，由于领先的内存制造商采取严格的减产措施，以及中国台湾供应商的DDR4产能扩张无法完全抵消供应减少，预计合约价格将继续上涨。 在客户端SSD市场，PC OEM厂商在今年上半年积极囤积库存，而终端市场需求目前主要由商用笔记本电脑型号支撑。OEM厂商库存居高不下，显著降低了买家接受新一轮价格上涨的意愿，迫使供应商对客户固态硬盘采取更为灵活的定价策略，以维持出货势头。这导致谈判旷日持久，预计这将抑制合同价格的上涨。 在企业级固态硬盘领域，CPU供应短缺限制了系统出货量，促使买家随着供应商扩大企业级固态硬盘的生产而逐步建立库存。 在供应方面，由于英伟达Vera Rubin平台的逐步推广以及消费者需求的疲软，NAND闪存厂商正将更多产能分配给企业级固态硬盘。然而，内部DRAM的短缺仍然制约着小容量、高性能企业级固态硬盘的供应，导致整体价格持续上涨。 大多数智能手机品牌在2026年上半年完成了大部分新产品制造和零部件采购。下半年，只有旗舰机型才会继续产生对UFS 4.0升级的显著需求，而中端和入门级智能手机的采购活动仍然低迷。 随着整体需求疲软，此前供应严重受限的eMMC和UFS产品在第三季度供应相对更加充足。OEM厂商承担更高成本的意愿降低，以及终端市场需求疲软，削弱了供应商的定价权，导致eMMC和UFS合约价格涨幅较为温和。 在NAND闪存晶圆市场，包括U盘和存储卡在内的零售存储产品需求依然疲软。由于上游成本高昂，无法完全转嫁到终端市场，模块制造商也维持着较低的采购水平。 存储器供应商继续优先将产能分配给利润率更高的AI和服务器产品，限制了投放市场的晶圆数量。然而，晶圆需求已大幅疲软，预计第三季度合同价格涨幅将大幅放缓。 （来源：半导纵横） （原文标题：存储涨价终于要停了，手机、PC承受能力已到极限）

【三星电子DRAM第三季度最高涨价20%】 三星电子在今年三季度的价格谈判中姿态十分激进。据业内消息，该公司计划将第三季度通用型DRAM平均销售单价（ASP）较上一季度最高上调20%。受人工智能基础设施投资带动，全品类存储芯片持续供给紧张，厂商此举意在最大化盈利。分析认为，尽管后续涨幅将收窄，但明年行业仍将维持高盈利水平。 三星正与客户协商，目标是实现DRAM均价环比最高20%的涨幅。全球科技巨头大举加码AI基础设施建设，推动服务器DRAM、高带宽内存（HBM）及低功耗内存（LPDDR）全线供给缺口扩大。相较SK海力士，三星DRAM均价涨幅更为突出，因其通用DRAM占比较高，且在涨价谈判中态度更积极。一季度其DRAM均价环比涨幅超90%，二季度预计为50%~60%，三季度仍计划维持约20%的涨幅。SK海力士因HBM产能占比更高，整体均价涨幅预计低于三星。 有业内人士表示：“三星在三季度价格谈判中非常激进。服务器与移动端均出现供给瓶颈的LPDDR，涨价幅度可能超过20%，但客户能否全盘接受尚不确定。” 业内普遍预判DRAM价格后续将保持稳健走势。尽管涨幅逐步放缓，但厂商与核心客户签订长期供货协议（LTA）的比例持续提升。例如，美光上月末透露已签署16份LTA，这类协议对采购量具约束力，并设保底价格，保障厂商高额利润，反映出客户对中长期供需紧张的预期。 近期市场热议Meta拟进军云服务，但该消息预计不会利空存储需求。Meta计划对外出售闲置算力，说明其AI算力储备充足。事实上，Meta早在今年4月就将全年AI基础设施投资预算从1150亿～1350亿美元上调至1250亿～1450亿美元，维持积极投资节奏。 另一位业内人士分析：“带有保底定价的LTA持续落地、HBM价格重新协商等因素支撑下，明年DRAM市场不会出现价格暴跌。Meta出售闲置算力应视为优化内部算力利用率的运营手段。” TrendForce最新调研显示，2026年第三季度DRAM市场供给仍将极度紧张。但消费终端需求走弱叠加去年同期高基数效应，本季合约价环比涨幅将收窄至13%–18%。NAND闪存需求主要由AI推理与数据中心建设拉动，但当前价格已处历史高位，消费端承受力达临界点，预计NAND合约价环比上涨10%–15%，涨幅明显放缓。 PC DRAM方面，代工厂仍在补库维持采购规模，但上游成本抬升将传导至终端，推高笔记本零售价，压制全年出货量。厂商虽会按约完成对PC客户的供货，但产能持续向服务器端倾斜，PC端DRAM供给被分流。 服务器DRAM市场中，x86通用CPU搭配RDIMM架构仍是AI算力主流载体。随着CPU供货改善，服务器出货有望持续旺盛至2027年，支撑下半年RDIMM采购与备货需求。三季度服务器DRAM依旧供不应求，但大量订单已锁定LTA，涨价幅度将回落。 手机LPDRAM市场，品牌商为对冲高成本计划上调终端售价，但可能冲击销量。在消费需求疲软下，生产与采购趋于保守，或削弱LPDRAM需求。然而厂商优先保障AI相关领域产能，LPDRAM供给持续偏紧，合约价仍有上行空间。 图形DRAM方面，英伟达RTX PRO 6000 Blackwell未带动GDDR7大规模需求，笔记本出货疲软也拖累GDDR6/7。厂商灵活转产至其他主流产品，图形DRAM供给维持紧缺，价格同步上行。 消费类DRAM（如电视、机顶盒）需求持续低迷；但车载、服务器SSD、网络设备等细分赛道表现稳健。头部厂商加速退出消费DRAM带来订单转移，底层需求未实质下滑。叠加主流厂控产减产、台厂DDR4扩产难补缺口，DRAM合约价继续上涨。 消费级客户端SSD市场，上半年PC代工厂大规模备货，当前仅靠商用笔记本支撑需求。代工厂库存偏高，接受涨价意愿低，厂商只能弹性调价，议价周期拉长，合约价涨幅收窄。 企业级SSD方面，此前CPU短缺制约出货，现随产能扩充，客户逐步补库。英伟达Vera Rubin平台落地及消费端降温，促使NAND厂商将更多产能转向企业级SSD。但自有DRAM紧缺限制小容量高性能产品出货，整体价格维持上行。 手机闪存（UFS/eMMC）方面，多数品牌已在上半年完成新机主要采购，下半年仅旗舰机带来UFS4.0升级需求，中低端采购低迷。整体需求降温使eMMC、UFS三季度供货相对宽松。代工厂难消化上游涨价，终端疲软削弱定价权，合约价涨幅明显收窄。 NAND晶圆现货市场，U盘、存储卡等零售产品需求低迷，上游成本难向下转嫁，模组厂采购意愿低、拿货量少。厂商持续将产能倾斜至高毛利AI与服务器产品，现货市场晶圆供应受限。但终端需求大幅走弱，预计三季度晶圆合约价涨幅显著放缓。 （来源：半导纵横） （原文标题：三星电子DRAM，第三季度最高涨价20%）

【京东方成立CPO与Micro LED技术攻关项目组】 目前京东方已成立MicroLED光互连系统及玻璃载板CPO技术攻关项目组，与生态伙伴开展前瞻技术预研，加快技术攻关。 近日，京东方在投资者关系活动记录表中，分享了LCD与OLED显示器件、钙钛矿、玻璃基封装载板及光互连相关应用的最新进展。 在显示领域，LCD方面主流应用出货量因存储涨价影响或将有所承压，但受益于大尺寸化趋势加速，出货面积有望同比增长；同时伴随老旧产线退出，TV供需趋紧，行业格局持续优化，公司将不断优化产线效率。 OLED方面，小尺寸高价格段出货量有望提升，支撑LTPO需求增长；中尺寸方面AIPC新品与AMOLED第8.6代线量产有望带动OLED技术在中尺寸IT应用中加速渗透。公司客户结构合理、产品结构丰富，在OLED 8.6代产线量产后，将依托该生产线的规模化产能与领先技术优势，持续推动中尺寸高端OLED产品的普及与升级。 在玻璃基封装载板领域，公司目前已实现高深宽比TGV开孔、深孔填铜、低应力金属布线、高层数压合、高密度布线、低应力切割等全流程工艺拉通，拥有完备的玻璃载板制造工艺能力。2025年已完成大尺寸高层数（9-2-9，20层）玻璃基载板样品开发和送样，并通过Pre-con、TCB 1000cycles、UHAST、BHAST、HTSL、LTSL等信赖性标准测试。 关于重点突破方向，京东方表示：“首先，玻璃基封装载板的商业化离不开整个行业的协同推进，一方面是产业上游的设备和材料，另一方面需要和客户深度协同，推进其在封装级和系统级的突破。其次，围绕客户对产品的技术需求，公司将不断进行技术探索和突破，同时深挖不良机理，固化改善措施，不断提升产品良率水平。” 在光互连领域，随着AI集群规模持续扩张，铜互连带宽正逼近极限，AI数据中心对光互连技术的需求不断提升。短距光互连技术升级推动封装集成成为下一代架构，可插拔光模块将向CPO演进。玻璃载板凭借超大尺寸扩展、超低热变形、超低信号损耗、透明介质等关键性能优势，有望成为未来光电融合底座，应用于CPO封装集成。 京东方基于MicroLED光源、玻璃基封装载板等前瞻布局，将加快光互连相关应用技术攻关。目前公司已成立MicroLED光互连系统及玻璃载板CPO技术攻关项目组，与生态伙伴开展前瞻技术预研。 在钙钛矿领域，三大研发平台效率不断突破：手套箱效率记录达27.94%，实验线21.39%，中试线20.11%，柔性16.6%。根据公司200KW实证基地数据，钙钛矿较传统晶硅方式发电量增加超过8%。 公司计划今年下半年在黑龙江漠河（极寒）、新疆吐鲁番（干热沙尘50度以上）和宁夏银川（高辐射、大温差）开展极致条件实证测试，后续将重点开拓室内弱光应用、车载光伏、BIPV、电站等市场。 关于未来业务布局，京东方表示：“基于公司多年来积累的核心能力与技术优势，通过能力复用与延伸，布局玻璃基封装载板、钙钛矿和MicroLED光互连相关应用作为未来业务发展的重要方向。钙钛矿方面，公司充分发挥微米级加工能力，下沉布局钙钛矿；玻璃基封装载板方面，将技术能力升级到纳米级加工，该领域的制程、工艺环节、运营管理、上下游产业链逻辑均与公司现有能力高度协同；光互连方面，利用显示产业长期积累的相关技术、玻璃基加工能力及大规模智能制造能力，推进技术攻关。各团队将持续打磨技术、工艺与产品。” （来源：半导纵横） （原文标题：关于CPO、Micro LED，京东方成立技术攻关项目组）

【慕尼黑展一线观察：MCU行业的新动向】 2026年7月初的上海慕尼黑电子展上，嵌入式厂商展台格外热闹。工程师们不再只关注价格和交期，而是聚集在人形机器人灵巧手Demo、边缘AI开发板等前沿应用前。这反映出嵌入式行业的风口正在转向AI MCU、人形机器人、RISC-V架构和新型存储技术。 AI MCU虽已提出多年，但落地仍处于初级阶段。德州仪器展示了集成TinyEngine NPU的边缘AI方案，提供2.56GOPS算力，适用于小型神经网络的分类任务，如毫米波雷达姿态识别或电机异常检测。其配套IDE支持从数据采集到部署的一站式流程，并已接入CC Studio，实现大模型辅助自动编码与调试。意法半导体则推出STM32N6芯片，具备0.6 TOPS算力，强调“两小两低”——小Flash、小RAM、低功耗、低延时。ST透露已有超5000款ARM平台MCU/MPU产品，73%的ML Perf Tiny开发者选用STM32。ARM则推广Zephyr RTOS，打通Cortex-M到Cortex-A的迁移路径，并搭配Ethos-U系列NPU支持主流AI框架。 然而，AI MCU落地仍受制于数据采集与法规。60GHz毫米波雷达在中国尚无明确标准，摄像头涉及隐私，激光雷达成本过高。当前应用场景如养老康养尚未真正释放，厂商普遍认为边缘AI MCU“不温不火”，需等待场景与政策成熟。 人形机器人MCU则已进入预研到小批量阶段。ST展出的六自由度灵巧手采用M4和M33内核MCU，整套芯片成本不足100元，但电机成本高昂。其人形机器人MCU已实现本土化生产并出口。兆易创新展示了四类机器人方案，包括六轴机械臂、四足机器人、关节驱动和六维力检测，强调不同部位对MCU性能要求差异显著。极海半导体主打性价比，APM32M3514单价仅3元，用于电机控制。英飞凌则采用氮化镓与PSOC Control C3 MCU集成，提升功率密度。恩智浦通过I3C总线实现多MCU高效通信，ADI则集成触觉阵列与边缘AI，实现闭环抓握控制。 尽管前景广阔，厂商坦言当前机器人出货量小，MCU业务“不赚钱”，更多是战略布局。真正瓶颈在于减速器未标准化，成本居高不下。 RISC-V正成为ARM之外的重要选择。沁恒微自2018年全面转向RISC-V，强调安全、低成本与性能优势，CH32V203在CoreMark和功耗上优于STM32F103。矽力杰推出符合AEC-Q100和ISO 26262 ASIL-D标准的SA32D系列，用于汽车高安全场景。其认为RISC-V生态正从消费向工业、汽车延伸，但对AI MCU持谨慎态度，认为0.3–0.5 TOPS算力需匹配具体价值场景。 存储方面，MRAM作为新型非易失性存储技术崭露头角。浙江驰拓科技是国内唯一实现STT-MRAM量产的厂商，其产品读写速度达几十纳秒，擦写寿命超万亿次，远优于Flash。下一代SOT-MRAM研发中，速度将达纳秒级。容量覆盖Kb至64Mb，规划向Gb演进。其eMRAM方案可嵌入MCU替代eFlash，已与国内MCU厂商合作。相比SRAM+电池方案，MRAM无需电池，适合防爆与偏远场景；相比PCM，其宽温性能更优，已在工业PLC、储能等领域应用，并通过AEC-Q100 Grade1车规认证。 总体来看，嵌入式竞争焦点正从单一参数转向场景匹配能力、架构自主性和存储底座重构。AI MCU的有限算力足以推动细分智能化，人形机器人的高MCU用量重塑需求曲线，RISC-V打破ARM垄断，MRAM则在工业与车规领域建立新标准。这些变化虽不剧烈，但叠加后正重新定义嵌入式系统的边界。 （来源：半导纵横） （原文标题：慕尼黑展一线观察，MCU行业正在发生什么？）