【三星电子DRAM第三季度最高涨价20%】 三星电子在今年三季度的价格谈判中姿态十分激进。据业内消息，该公司计划将第三季度通用型DRAM平均销售单价（ASP）较上一季度最高上调20%。受人工智能基础设施投资带动，全品类存储芯片持续供给紧张，厂商此举意在最大化盈利。分析认为，尽管后续涨幅将收窄，但明年行业仍将维持高盈利水平。 三星正与客户协商，目标是实现DRAM均价环比最高20%的涨幅。全球科技巨头大举加码AI基础设施建设，推动服务器DRAM、高带宽内存（HBM）及低功耗内存（LPDDR）全线供给缺口扩大。相较SK海力士，三星DRAM均价涨幅更为突出，因其通用DRAM占比较高，且在涨价谈判中态度更积极。一季度其DRAM均价环比涨幅超90%，二季度预计为50%~60%，三季度仍计划维持约20%的涨幅。SK海力士因HBM产能占比更高，整体均价涨幅预计低于三星。 有业内人士表示：“三星在三季度价格谈判中非常激进。服务器与移动端均出现供给瓶颈的LPDDR，涨价幅度可能超过20%，但客户能否全盘接受尚不确定。” 业内普遍预判DRAM价格后续将保持稳健走势。尽管涨幅逐步放缓，但厂商与核心客户签订长期供货协议（LTA）的比例持续提升。例如，美光上月末透露已签署16份LTA，这类协议对采购量具约束力，并设保底价格，保障厂商高额利润，反映出客户对中长期供需紧张的预期。 近期市场热议Meta拟进军云服务，但该消息预计不会利空存储需求。Meta计划对外出售闲置算力，说明其AI算力储备充足。事实上，Meta早在今年4月就将全年AI基础设施投资预算从1150亿～1350亿美元上调至1250亿～1450亿美元，维持积极投资节奏。 另一位业内人士分析：“带有保底定价的LTA持续落地、HBM价格重新协商等因素支撑下，明年DRAM市场不会出现价格暴跌。Meta出售闲置算力应视为优化内部算力利用率的运营手段。” TrendForce最新调研显示，2026年第三季度DRAM市场供给仍将极度紧张。但消费终端需求走弱叠加去年同期高基数效应，本季合约价环比涨幅将收窄至13%–18%。NAND闪存需求主要由AI推理与数据中心建设拉动，但当前价格已处历史高位，消费端承受力达临界点，预计NAND合约价环比上涨10%–15%，涨幅明显放缓。 PC DRAM方面，代工厂仍在补库维持采购规模，但上游成本抬升将传导至终端，推高笔记本零售价，压制全年出货量。厂商虽会按约完成对PC客户的供货，但产能持续向服务器端倾斜，PC端DRAM供给被分流。 服务器DRAM市场中，x86通用CPU搭配RDIMM架构仍是AI算力主流载体。随着CPU供货改善，服务器出货有望持续旺盛至2027年，支撑下半年RDIMM采购与备货需求。三季度服务器DRAM依旧供不应求，但大量订单已锁定LTA，涨价幅度将回落。 手机LPDRAM市场，品牌商为对冲高成本计划上调终端售价，但可能冲击销量。在消费需求疲软下，生产与采购趋于保守，或削弱LPDRAM需求。然而厂商优先保障AI相关领域产能，LPDRAM供给持续偏紧，合约价仍有上行空间。 图形DRAM方面，英伟达RTX PRO 6000 Blackwell未带动GDDR7大规模需求，笔记本出货疲软也拖累GDDR6/7。厂商灵活转产至其他主流产品，图形DRAM供给维持紧缺，价格同步上行。 消费类DRAM（如电视、机顶盒）需求持续低迷；但车载、服务器SSD、网络设备等细分赛道表现稳健。头部厂商加速退出消费DRAM带来订单转移，底层需求未实质下滑。叠加主流厂控产减产、台厂DDR4扩产难补缺口，DRAM合约价继续上涨。 消费级客户端SSD市场，上半年PC代工厂大规模备货，当前仅靠商用笔记本支撑需求。代工厂库存偏高，接受涨价意愿低，厂商只能弹性调价，议价周期拉长，合约价涨幅收窄。 企业级SSD方面，此前CPU短缺制约出货，现随产能扩充，客户逐步补库。英伟达Vera Rubin平台落地及消费端降温，促使NAND厂商将更多产能转向企业级SSD。但自有DRAM紧缺限制小容量高性能产品出货，整体价格维持上行。 手机闪存（UFS/eMMC）方面，多数品牌已在上半年完成新机主要采购，下半年仅旗舰机带来UFS4.0升级需求，中低端采购低迷。整体需求降温使eMMC、UFS三季度供货相对宽松。代工厂难消化上游涨价，终端疲软削弱定价权，合约价涨幅明显收窄。 NAND晶圆现货市场，U盘、存储卡等零售产品需求低迷，上游成本难向下转嫁，模组厂采购意愿低、拿货量少。厂商持续将产能倾斜至高毛利AI与服务器产品，现货市场晶圆供应受限。但终端需求大幅走弱，预计三季度晶圆合约价涨幅显著放缓。 （来源：半导纵横） （原文标题：三星电子DRAM，第三季度最高涨价20%）