【东微半导拟募资14.36亿元加码功率半导体】 近日，东微半导发布公告，拟发行可转债募集资金总额不超过14.36亿元，扣除发行费用后将用于新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目，并补充流动资金。 其中，新型功率器件技术和产品研发及产业化项目由苏州东微半导体股份有限公司实施，地点位于江苏省苏州市，总投资5.48亿元，拟使用募集资金不超过5.48亿元。项目建设期36个月，建成后将推动新研发产品在数据中心电源、新能源汽车、固态变压器等市场的规模销售，增强公司在高端功率半导体领域的技术竞争力，助力相关领域芯片国产化替代。 东微半导在功率半导体领域拥有超过十五年的技术积累。2025年公司研发费用达9231.76万元，同比增长21.93%；截至2025年末，研发人员数量同比增长13.04%，平均薪酬增长18.09%，为项目实施提供了坚实基础。 目前，公司在SiC MOSFET领域已取得关键进展：第二代、第三代650V和1200V平台多个产品进入稳定交付阶段，1700V系列产品通过客户测试并获订单，650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET已完成研发并推进客户验证。本项目将进一步拓展SiC器件耐压范围至3300V—10kV，推进SiC JFET、SiC Super Junction MOSFET等差异化产品研发，形成超高耐压SiC MOSFET及低内阻SiC JFET产品系列，保障数据中心电源、固态变压器等关键领域的SiC器件供应链安全。 同时，截至2025年末，公司在低压GaN HEMT技术方面取得阶段性突破，多个电压等级产品已完成扩充并积极推进客户验证与量产。本项目将推动高压、中压、低压GaN HEMT器件的研发及产业化，完善GaN产品矩阵，把握数据中心电源市场快速增长的窗口期。 此外，氧化镓（Ga₂O₃）已在大尺寸衬底上实现技术突破，预计未来2—3年其良率、一致性和可靠性问题将逐步解决，并在工业电源、快充桩、电网等领域进入批量应用阶段。据Yole预测，到2030年全球氧化镓功率器件市场规模将超20亿美元，2040年有望突破200亿美元，成为主流功率半导体材料之一。国内多家企业正积极布局第四代半导体材料及器件研发。为保持竞争力，东微半导已启动Ga₂O₃理论研究，与高校合作完成SBD仿真验证，并评估了Ga₂O₃衬底供应商。本项目将推动公司从理论研究向原型器件开发过渡，通过开发SBD和垂直MOSFET原型器件，建立自主设计与工艺能力，抢占下一代功率器件技术制高点。 2025年，东微半导实现营业收入12.53亿元。其中，工业及通信电源领域收入占比约38%，同比增长53%；车载充电机领域占比约22%，同比增长8%；光伏逆变器领域占比超7%，同比增长超100%；新能源汽车直流充电桩领域占比约6%，同比增长15%。车规与工业等领域整体营收占比达83%，构成公司收入增长的核心支撑。2026年第一季度，公司实现营收2.80亿元。 针对当前功率半导体行业价格变动及趋势，东微半导表示，下游数据中心、算力服务器、新能源车出口、光伏储能等领域需求旺盛，高端晶圆代工产能趋紧。公司产品定价受原材料成本、供需关系等多重因素影响，将根据市场行情适时调整策略，并通过技术升级提升产品竞争力，维持合理利润水平。 对于2026年全年收入预期，公司计划持续深耕工业级及车规级功率器件市场，包括数据中心、服务器电源及各类工业电源领域，巩固超级结产品的竞争优势，以超级结、屏蔽栅产品作为营收基本盘，同时积极拓展TGBT、SiC及功率模块产品的市场空间。此外，公司通过收购数字控制IC设计公司慧能泰部分股权，力求从单一功率器件供应商转型为提供一站式高性能系统解决方案的供应商，有望对公司营收和盈利能力产生积极影响。 （来源：半导纵横） （原文标题：东微半导：拟募资14.36亿元投功率半导体）