【中信通信】薄膜铌酸锂:单波400G的必选项!电光调制器升级决定下一代光互联! 材料体系升级是光通信突破单波400G的关键! 当前业界对CPO与可插拔光模块的讨论多聚焦于功耗、成本与部署灵活性的权衡，我们认为这仅是光通信演进的议题之。真正的技术分水岭在于单波长通道带宽的代际跃升--从单波100G到200G，再到亟待突破的单波400G(需支持60GBaud以上符号速率与64QAM等高阶调制)。这一跨越对电光调制器提出极限要求:超宽带宽(>70GHz)、极低啁啾、高线性度与低驱动电压，而材料体系的草新正是破局关键。 现有主流方案面临显著瓶颈: 1)磷化铟(InP):虽具备直接调制能力，但材料栽流子迁移率与器件寄生效应限制其带宽进一步提升;高制造成本、晶圆尺寸小、与CMOS工艺兼容性差，难以支撑400G所器的高集成度与规模化部署， 2)硅光(SiPh):依赖载流子色散效应实现调制，电光效率低导致调制器长度长、半波电压高(>3V)，带宽普遍受限于50GHz以下，同时线性度不足易引入信号失真，难以满足高阶调制对低误码率的严苛要求，且温度敏感性进一步制约稳定性: 破局之道在于薄膜铌酸锂(LNOI)与硅光的异质集成: LNOI凭借铌酸锂本征的强电光效应(系数较硅高2-3个数量级)，可实现>100GHz调制带宽、亚伏级驱动电压与优异线性度，完美适配单波400G+的高速高阶调制器求;而通过异质集成技术，将LNOI高性能调制器与硅光平台的低损耗波导、探测器及CMOS电子电路协同封装，既保留硅基工艺的高集成度与成本优势，又规避单一材料的物理局限。 相关标的：安手科技(异质集成+硅光芯片设计)、天通股份(铌酸锂晶圆)