【北京君正调研披露存储顺价 全年盈利有望较好增长】 市值风云7月3日 | 北京君正在2026年7月2日发布的调研中表示，当前存储行业整体产业链产能紧张，公司去年已提前增加备货，覆盖基于新制程的20、18、16纳米DDR4和LPDDR4产品，叠加后续持续生产，现有储备可保障今明两年稳定供货，公司也在持续跟进海内外代工资源，预计明年下半年将有新产能释放。价格端，今年一季度国内DRAM客户已完成调价，二季度国内客户继续涨价、海外客户陆续启动价格调整，三季度价格将继续上调，四季度供应仍偏紧，存在继续调价可能性；DRAM代工厂价格虽有上涨，但公司可完全实现顺价，预计存储各季度毛利率将环比增长。产品结构方面，今年一季度DDR4和LPDDR4合计收入占DRAM收入的比例已超过40%，整体来看消费类DRAM产品涨价更为频繁；NORFlash目前占公司存储业务比例超30%，今年一二季度均有涨价，涨价幅度小于DRAM，产能紧张程度也低于DRAM，一季度NORFlash收入实现较好增长，增长以销量拉动为主，今年以来该产品在AI服务器、光模块相关领域增长明显；NandFlash自去年起已开启涨价，需求保持旺盛；部分SRAM产品因客户将其作为DRAM替代方案，二季度价格也有所上涨。下游客户对当前涨价基本接受，行业核心矛盾集中在供应端，此前行业大厂退出细分市场后，已有大量新客户对接公司，公司将优先选择优质客户供应，同时尽力保障老客户需求，本轮存储行业周期有利于公司后续客户拓展。对于明年存储涨价趋势，目前尚无法预判，整体来看传统DRAM产品产能难有大幅改善，预计供需仍将维持偏紧格局。 关于计算芯片业务，当前计算芯片因叠封所用KGD持续涨价且处于缺货状态，推高产品成本、整体供应偏紧，公司已在前两个季度持续上调售价，一季度计算芯片毛利率接近52%，二季度仍将维持较好的毛利率水平；三、四季度毛利率能否维持当前水平尚不确定，公司将根据成本变动及整体市场情况及时调整价格，预计公司全年收入、盈利能力将实现同比较好增长。 技术研发与其他业务线方面，面向边缘端大模型的3D DRAM目前正处于紧密研发阶段，由存储业务研发部门负责DRAM颗粒设计，计算技术部门负责DDR控制器设计并配合存储团队完成basedie部分，两个团队协同提供完整解决方案；受当前整体DRAM产能紧张影响，3D DRAM投片进度有所延迟。模拟芯片业务今年一季度收入同比增长11%，全年预计呈现稳定增长态势，公司正持续加大模拟产品线研发投入，丰富产品矩阵，推动销售规模扩张，今年以来模拟芯片售价已有微调，后续价格策略将根据市场竞争情况确定。AI MCU目前仍处于样品阶段，客户反馈普遍较好，计划于7月进行量产版本投片。