报告的判断分两层：

1.先进封装是中国 AI 算力芯片提升性能的关键路径；

2.但 2.5D 环节 2025—2027 年产能投放快于有效需求，资本开支的直接受益者 —— 设备供应商，因此被排在产业链排序的前面。

一、封装承接性能提升主线

AI 加速器对计算密度、内存带宽和异构集成的要求持续抬升，晶圆级处理、RDL、TSV、chiplet、2.5D 集成、3DIC 与混合键合等封装技术，成为算力芯片提升性能的直接通道。

对中国产业而言，这条通道的权重更高：先进制程半导体设备获取受限，前端制程缩微空间被压缩，封装侧的结构改进成为性能提升的主要来源，这是上调先进封装长期增长判断的依据。

二、市场百亿规模，芯粒年增四成

据 CSIA/CIC 数据，中国先进封装市场规模预计 2029 年达到约 1000 亿元，2025—2029 年复合年增速约 13%。

结构上：flip chip（倒装）同期复合增速约 10%，WLP（晶圆级封装）约 9%；chiplet/2.5D 细分市场 2029 年达到 177 亿元，2025—2029 年复合增速 40%，增速高于倒装与晶圆级封装两条主线。

三、产能三年增至 43.6 万片

1.报告测算：中国 2.5D 先进封装年产能将从 2025 年的约 12 万片增至 2027 年的 43.6 万片，两年扩出 31.6 万片。

有效需求受先进制程良率、HBM 供应与客户认证节奏约束，行业利用率依次为 2024 年 56%、2025 年 52%、2026 年 50%、2027 年 63%，即 2026 年落到本轮低位、2027 年随需求修复。

2.全球对比看：中国 2.5D 产能占全球比重 2024 年约 9%，2025—2026 年约 15%，2027 年约 16%；2027 年中国产能约为海外产能的 16%。

四、需求端：490 万颗 GPU 的约束

1.终端需求并不弱：报告预计中国厂商 AI GPU 出货量从 2025 年的 110 万颗增至 2027 年的 490 万颗。

按每片晶圆切出约 21 颗芯片、整体良率 85% 测算，对应 2027 年约 27.7 万片晶圆需求，与 43.6 万片供给之间存在 15.9 万片差额，63% 的利用率由此而来。

2.HBM 是另一道约束：高性能 AI 加速器需搭载大量高带宽内存，长鑫存储2027 年预计产出 300 万 —400 万颗 HBM3E，仅能支撑 75 万 —100 万颗 GPU，其余产能需匹配海外 HBM 供应；基板、先进封装材料、热方案等环节存在相似约束。

终端需求与实际稼动之间的差，是报告对 OSAT 盈利保持谨慎的核心原因。

五、S 类转 L 类，3D 改写用量

中国 2.5D 产能还存在结构错配：国产厂商普遍从CoWoS-S 类（全硅中介层）方案起步，而 AI 封装正沿台积电的演进路径转向 CoWoS-L 类（RDL 中介层加局部硅互连），后者可扩展性与设计灵活性更高，适配更大尺寸封装。

S 类技术与产线成熟度高、存量产能占比大，L 类仍在爬坡，结果是 S 类产能稼动率先行回落、L 类产能维持偏紧。

厂商以共用工艺模块的方式保留两类产线的转换弹性，但中介层架构、工艺流程与认证要求不同，转换并非无缝。

此外，3D 集成把多颗加速器芯片垂直堆叠后再与 HBM 封装，单颗 GPU 芯片对应的 2.5D 封装面积随之下降，加速器出货增长并不线性折算为 2.5D 产能需求。

六、资本开支先行，设备先行接单

报告对产业链价值分配的判断明确：OSAT 收入取决于产能是否被填满，设备商收入取决于产能是否开建。若中度过剩出现，OSAT 扩张会摊薄稼动率、压制价格；而无论产能最终回报如何，前期设备投资已经发生。

全球 OSAT 资本开支2025 年约 140 亿美元、2026 年约 170 亿美元；capex / 收入比率升至约 30%，高于长期约 15% 的均值。

同时，2.5D/3D 在传统封装之外新增细间距 RDL、TSV、晶圆级处理、临时键合 / 解键合、高精度贴片、TCB / 混合键合与先进检测等工序，单位产能的设备价值量随封装复杂度上升，形成设备需求的第二条逻辑。

七、设备厂商业绩与订单拆解

1.盛美上海：覆盖电镀、清洗等多道湿制程，Q2 2026 先进封装相关收入同比增长 153%，剔除 ECP 电镀后增长 168%，当季第 2000 台 ECB 电镀腔体出货；报告期内还拿到国内客户首台 510×515mm 大尺寸水平面板级电镀设备生产订单，面板级封装从先进制造向量产推进。

2.ASMPT：定位 TCB 热压键合、高精度倒装与混合键合，2025 年 TCB 收入同比增长约 146%；1H2026 先进封装分部收入 3.39 亿美元、同比增长 17%，约占集团收入 30%；2026 年 7 月拿到 OSAT 客户 50 余台 chip-to-substrate TCB 设备批量订单。

3.国产环节：芯碁微装、芯源微、华海清科、中科飞测、拓荆科技分别覆盖直写光刻、涂胶显影与临时键合、CMP 与减薄、检测量测、混合键合工序。

八、长电科技：低基数上扩产

长电科技的 2.5D 业务从低基数起步，核心载体为江阴 JME 高端封装厂：JME 收入从 1H2025 的 43 亿元增至 2H2025 的 162 亿元，1H2026 达到 212 亿元；净亏损逐期收窄，1H2026 净亏损 0.89 亿元，管理层预计 2027 年扭亏，2027 年底产能约 5 万片 / 月。

客户侧已有一家锚定 CSP 客户，管理层预计江阴 2.5D 业务未来 1—2 年做到十亿元级年收入规模；上海投资 78 亿元的高端先进封装厂房已获批启动，一期目标 2H2026 投产，同时布局 CPO、面板级封装、2.5D/3D 等下一代技术。

业务结构同步切换：1H2026 计算类收入同比增长 40.4%，收入占比从 1H2025 的 22% 升至 30%；汽车类收入同比增长 25.0% 至 20 亿元，占比从 9% 升至 11%；临港汽车封装厂 2026 年 3 月投产、2Q26 进入量产。

2025 年公司国内收入同比增长 22% 至 83 亿元，高于通富微电的 15% 与华天科技的 18%，国内毛利率同比提升 6.6 个百分点至 20.4%。

先进封装 capex 从 2025 年的 63 亿元升至 2026 年的 100 亿元以上。

九、盛合晶微：七成七份额与集中客户

盛合晶微2025 年以约 77% 的份额位居国内 2.5D 封装首位，12 英寸 bumping 产线规模同样位居国内前列；按 Gartner 口径，公司 2025 年全球 OSAT 收入排名第 9、份额约 2%。

报告预计公司 2025—2028 年收入复合增速 25%，其中 chiplet/2.5D 复合增速 36%，WLP 约 10%；3DIC 层面，基于微凸块的 SmartPoser 3DIC-BP 平台已量产，混合键合路线的 3DIC-HB 平台推进 C2W/W2W；临港 Dongsheng Hexin 3D 集成芯片制造一期项目总投资 100 亿元，2026 年 6 月开工。

需正视三组数据：

1.按已建成产能口径，公司份额预计从 2025 年的 77% 降至 2027 年的 34%；

2.客户集中，1H2025 前五大客户占收入 91%，其中华为占 74%（2023 年 69%、2024 年 72%），华为自建先进封装产能成熟后存在需求内化的可能；

3.公司列入美国实体清单，设备与技术获取受出口管制影响。

成本结构上：1H2025 制造费用占 COGS 的 50%，原材料占 34%，人工占 16%。Q2 2026 公司收入同比增速降至约 2%，净利润同比下降 16%；报告 2027/2028 年预测较市场共识分别低 6%/4%。

十、新技术落地节奏梳理

报告预计中国 3DIC 市场未来 2—3 年新增规模仅为数千万美元量级；台积电 SoIC 产能规划为 2025 年 6600 片 / 月、2026 年 1.4 万片、2027 年 4 万片、2028 年 7 万片；华为目标 2031 年通过系统、电路与封装层面创新实现等效 14nm 密度。

HBM：长鑫存储 TSV 产能从 2026 年的 2 万片 / 月增至 2027 年 4 万片、2028 年 7 万片，按 bit 出货口径份额 2026 年约 3.8%、2027 年约 4.4%；封装环节目前主要留在存储生态体系内（含关联封装产能），独立 OSAT 可获取的增量价值有限。

CPO：行业初步量产时点在 2026 年前后，规模化部署更可能在 2027—2028 年，未来 1—2 年对中国 OSAT 收入贡献有限。

十一、行业梳理

封装测试：盛合晶微、长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子

国产设备：盛美上海、芯碁微装、芯源微、华海清科、中科飞测、拓荆科技

存储：长鑫存储

风险提示：产能扩张或致利用率回落，需求存不确定性。