一、事件催化

磷化铟是III-V族化合物半导体材料，在光通信和高速电子器件中具有较强的材料适配性。InP在300K下的带隙约为1.344 eV，本征载流子浓度约为1.3×10⁷cm⁻³；其电子迁移率最高可达5400 cm²/V·s，击穿场约为5×10⁵ V/cm，兼具较高载流子输运能力和较强电场承受能力，InP适合承担高速光电转换、激光发射、探测接收和高频电子器件等功能。随着光模块从800G向1.6T乃至3.2T演进，单颗模块对磷化铟芯片的需求量呈倍数增长。目前，磷化铟80%以上的需求都来自AI数据中心，光模块需求加速扩张促进上游磷化铟材料需求激增。且磷化铟衬底生产技术壁垒极高，是当前国内光模块、光芯片产业链核心卡脖子环节。

英伟达预测2026年-2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增20倍左右，但磷化铟衬底行业扩产难度极大，单条产线投资超12亿元，扩产周期长达3年至5年，新增供给释放速度远远滞后于需求增速。数据显示2026年全球磷化铟衬底需求预计在260万到300万片，有效产能只有75万片左右，缺口超过70%。铟价今年从每千克2700多元涨到5300多元，涨幅超过90%。