作者：吴开达，肖峰

当前，全球AI产业正从模型训练向规模化推理部署跨越，算力基础设施的硬件形态与材料需求随之发生变化。我们认为，这一趋势将对部分金属需求结构进行重构。

锡：算力互连耗锡量跃升，供给扰动助推锡价上行

◆锡是电子工业的“万能胶水”——锡基焊料导电性好、熔点低、焊接稳定性强，可以用于电子元器件与印制电路板（PCB）间机械连接与电气互连。当前锡焊料需求增量主要来自AI服务器与高速光模块两大领域。全球锡储量高度集中且主产国供应扰动频发，2026年上半年LME锡期货价最大涨幅约40%。

钨：六氟化钨成先进互连关键材料，原料出口收紧加剧短缺预期

◆六氟化钨是半导体制造CVD（化学气相沉积）工艺的核心前驱气体，逻辑芯片领域的CPU、GPU以及存储芯片领域的3DNAND闪存、HBM（高带宽存储）均依赖该工艺环节。AI算力驱动下，先进制程互连瓶颈与存储芯片堆叠升级共同推高六氟化钨单耗，全球需求20-25年内接近翻倍。中国对日钨原料出口收紧，导致日本两家主要厂商约2200吨六氟化钨年产能面临停产风险，约占全球总产能25%。

钽：AI服务器电容用量需求扩张，非洲供给风险推涨钽价

◆ AI服务器拉动聚合物钽电容需求增长，其高容值及储能、去耦能力适配芯片负载快速变化，据Market Reports World数据，全球钽电容市场预计2026—2035年复合增长5.9%。同时非洲供给中枢扰动加剧，钽矿价格大幅上行。

铟：光模块升级拉动磷化铟需求，出口管制叠加刚性供给推涨铟价

◆磷化铟（InP）电子迁移率可达硅的10倍以上，已成为AI数据中心高速光模块的核心衬底材料，是铟需求增量的主要驱动力。光模块速率升级与部署总量扩张共同驱动磷化铟需求增长。铟供给刚性约束叠加中国出口管制，铟价自2026年年初起步入上行通道。

钼：存储技术升级驱动材料切换，以钼代钨打开增量空间

◆钼在半导体存储领域的应用边界拓展，3DNAND技术迭代驱动材料升级。随着堆叠层数增加，传统钨在字线细化后电阻上升影响信号传输，且制程中需额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加占用空间制约集成密度；而钼在同等微缩尺寸下电阻更低，且无需阻挡层可直接填充，有利于提升存储密度。

锗：数据中心光纤需求快速增长，中国主导供给强化战略价值

◆在光纤需求呈快速扩张的背景下，作为光棒制造不可或缺的掺杂材料，锗的需求或将迎来结构性增长。中国凭借资源储量与产业链优势主导全球锗供给。

镓：AI射频与功率器件拉动氮化镓放量，中国原生镓产量占全球99%

◆镓以砷化镓和氮化镓形式主导半导体应用，支撑集成电路与光电器件在国防、通信、高性能计算等领域的关键用途。全球镓供给呈现典型伴生资源属性与高度集中格局，整体供给刚性较强。

风险提示：AI算力需求不及预期；技术迭代与材料替代；金属价格波动；产量释放超预期。