作者： 刘奕町

投资要点

资本开支指引行业景气度，AI小金属迎来历史性机遇

全球AI资本开支正进入非线性加速阶段，资本投放的结构亦显示出扩圈，从单一的芯片单品范畴，逐步覆盖服务器整机、高速网络元器件、数据中心供电基建、高热密度冷却设施等细分领域，形成全链条、多品类的全方位硬件投资格局，为上游基础原料带来需求红利。

算力需求跃进式提升，硬件性能升级迫在眉睫。性能升级围绕算力密度、内存带宽、互联速率、功耗效率四个维度展开，材料体系的选择至关重要，更多稀有金属品种凭借其优越的理化特性进入视野，有望带来增量需求。

锡：电子世界的“万能胶”，供需持续紧张

需求侧：PCB产量增长有望拉动锡需求可观弹性，我们测算PCB电镀+SMT环节对锡的单耗约318g/㎡，2026-2030年全球PCB产量有望从5.1亿平米增长至6.63亿平米，PCB耗锡有望从16.3万吨增长至21.2万吨，四年量增4.9万吨锡需求，CAGR为6.9%。以2025年全球锡消费量38万吨为基数，未来5年PCB端对锡的消费拉动弹性为12.3%。

供给侧：资源贫化、自然灾害、军事战乱、政策变更、贸易流迁移等对全球锡供给形成影响。我们判断，锡价中枢有望持续上移。建议关注：锡业股份、华锡有色、兴业银锡、新金路、唯特偶。

铟：实现高速光通信的核心基材，磷化铟需求有望跃升

需求侧：算力需求爆发，数据中心内部数据传输瓶颈凸显，光互连成为数据通信最优方案。光通信的瓶颈在于发射端电-光转换环节的选材，需要半导体材料兼具高效发光、可以匹配光纤最低损耗窗口、且具备超高频响应能力，磷化铟成为优选。我们测算，4英寸磷化铟衬底耗铟量约32g/片，2025到2030年AI数据中心对磷化铟需求有望由60万片增长至1300万片，穿透到铟的需求将由2025年的19吨增长至2030年的419吨，以2025年全球铟需求为基数，拉动需求增长20%以上。

供给侧：原生铟的供给受限于锌矿生产，近年锌炼厂TC不断下滑，炼厂开工意愿不足对铟供给形成约束；我国对铟实行出口管制，供需紧张有望支撑铟价上行。建议关注：锡业股份、华锡有色、株冶集团、云南锗业。

铪：迈向先进制程的“垫脚石”，半导体领域贡献高需求增速

需求侧：栅介质层材料成为芯片制程进化瓶颈，氧化铪凭借其高介电系数可有效解决量子隧穿效应导致栅极漏电流急剧增加、芯片功耗飙升、运行可靠性降低的问题。制程微缩进程下，芯片铪负载有望持续增加。2024-2030年全球铪需求有望由100吨增长至142吨，半导体领域贡献近半增量。

供给侧：铪面临生产技术难度大、污染高、扩产不经济等多重限制，海外供给增量有限；地缘冲突加剧下，全球铪贸易流亦受到影响。供需紧张下，国内氧化铪价格自2022年以来已翻倍，今年海外铪价格甚至出现10倍于内盘价格的溢价。建议关注：三祥新材。

风险提示：AI资本开支不及预期风险，技术替代风险，供给超预期释放风险，地缘政治风险。