工信部官宣分辨率65nm，套刻精度8nm#光刻机# 大规模商用，这是好事，我们终于从90nm盘旋了很久走到了65nm，虽然这还是一款低端光刻机相当于20年前ASML的1460K, 多重曝光大概能做到28nm， 但基本一些对功耗要求不太高的芯片都能覆盖。

  但也别瞎嗨，距离HW用的ASML 低端DUV1980i还差很远， 1980i可实现≤38nm 的分辨率，和2.5nm 的套刻精度，所以多重曝光才能到7nm。

  眼下各个研发机构还有很多新的光刻机在研发中，相信不久将来还会不断有好消息。