一、事件催化

9月以来，存储芯片价格持续上涨。9月4日，NAND大厂闪迪（SanDisk）发布涨价函，面向渠道和消费者客户对闪存产品涨价10%以上；9月12日，美光暂停报价，价格有望调涨20-30%；9月18日，根据芯存社，三星已通知大客户第四季度涨价，NAND类eMMC/UFS协议价格预计涨幅5%-10%。

此次存储芯片价格上涨的主要原因是AI应用的快速发展，随着AI从“训练”阶段向“推理”及边缘设备延伸，大容量DRAM和NAND Flash的需求持续增长，导致供应吃紧。特别是三星、SK海力士、美光等大厂将产能集中到DDR5和HBM，而DDR4生产线逐步退场，2025年4月，海外原厂接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品。虽然生产线逐步退场，但市场需求并未随之消失，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启轰轰烈烈的“涨价潮”，并将延续至今年底。NAND存储产品方面，近几年除大陆外，海外大厂无新建产能，对产能利用率高纪律性，目前产能利用率在80%以下的低位运行。而受益于云端及边缘AI需求的增长，大容量HDD的交期几乎已排到一年后。

随着AI持续爆发性需求推动存储性能与容量要求呈指数级增长，据弗若斯特沙利文数据，2025年全球服务器DDR5模组渗透率将达85%，服务器内存条出货量预计为1.84亿根，2030年有望增长至3.07亿根，2025-2030年复合增长率达10.8%。