一、事件催化

据韩国《朝鲜日报》消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。在这背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。

其中，英伟达H200芯片每颗搭载6颗HBM3E；搭载HBM3E的谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium将于明年开始出货，两款产品HBM搭载量均较上一代产品增加约20%至30%，前者每颗搭载8颗HBM3E，后者搭载4颗HBM3E。KB Securities指出，由于ASIC需求激增，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍，预估将达111亿Gb。且其预计明年HBM市场的营收占比将为HBM4占55%、HBM3E占45%；从明年第三季度起，HBM4将快速吸收HBM3E的需求。

随着技术升级加速了行业转型，HBM3E内存产品已占据高端市场主导地位，其出货量较上季度猛增80%。三星电子透露，其128GB DDR5产品良率已突破90%，24Gb GDDR7芯片也进入量产阶段。SK海力士则计划在2026年量产下一代HBM4产品。财务数据显示，三星电子和SK海力士的内存业务毛利率预计将达到63%-67%，七年来首次超过芯片代工台积电约60%的毛利率水平。

市场预计，随着AI推理需求持续爆发，存储芯片的价格话语权将进一步增强。2025年全球存储芯片市场规模有望突破4500亿美元，这将重塑整个半导体行业的利润分配格局。