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一、真正卡住AI算力发展的不是芯片，是芯片之间那道光

在AI大模型训练里，上万张GPU要像一台机器一样协同，跨机架数据搬运量已远超单机内部总线承载能力，必须用光来传。而把电信号变光信号的关键，就是磷化铟（InP）衬底上长出来的激光器芯片。

磷化铟是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，拥有极高的电子迁移率和直接带隙结构，能高效完成电到光转换，是目前高速光模块激光器芯片（如EML）唯一量产的衬底材料。很多人以为硅光崛起就能淘汰磷化铟，但硅是间接带隙、不自发光，硅光方案仍需磷化铟提供片上CW激光器做光源。

到2031年，InP基光芯片仍将占据光互联市场约46%的份额（约69亿美元）。我们可以得出的结论是，磷化铟不是"可选材料"，而是AI光互连栈里物理上不可替代的底层硬材料。

二、需求为什么突然指数级爆炸增长？

光模块正从800G向1.6T乃至3.2T跃进，单颗800G模块需配4～8颗InP激光器芯片，1.6T的需求量约为800G的2.7～3倍。

英伟达GB200/Rubin平台全面向1.6T演进，2026年被业界视为1.6T量产元年；一个万卡级AI数据中心仅激光器组件部署量就达数百万个。当前超过80%的磷化铟需求直接来自AI数据中心，光模块需求加速扩张把上游材料需求彻底打开。

Lumentum预测到2030年AI数据中心对磷化铟需求的年复合增长率达85%；英伟达更给出判断2026—2030年磷化铟晶圆需求将激增约20倍。

三、供给因为三重死结而"扩不动"

据Omdia、Yole数据，2025年全球磷化铟衬底总需求约200万～210万片，有效产能仅60万～70万片，供需缺口超70%；2026年需求预计飙至260万～300万片，有效产能仅约75万片，缺口仍在70%以上。

缺的不是投资意愿，日美大厂已经在狂砸钱，问题是产能建不成也跑不顺。

一是长晶本身就是极端工艺。磷化铟需在约1070°C、约27个大气压下操作，6英寸大尺寸的位错密度/均匀性控制难度指数级上升，良率爬坡及客户周期长达2年。

二是核心设备交付极慢。VGF单晶炉、MOCVD外延设备交付周期18～24个月，且高端机型对华供应受《瓦森纳协定》及相关管制约束。

三是客户认证周期极长。下游光芯片厂对衬底认证通常需1～2年，产能建成也不能马上形成有效出货。

四、全球三巨头垄断格局让磷化铟更复杂

全球高端InP衬底长期由日本住友电工、美国AXT（其在华实体为北京通美）、日本JX金属三家主导，合计市占率约90%以上。

日本JX金属计划到2030财年前投资最高1200亿日元（约7.5亿美元），将InP基板产能较2025年度提升7～10倍，是其半导体材料史上最大单项投资。

AXT/北京通美募资6.325亿元优先扩InP衬底产能，计划2026年底较2025年末翻倍、2027年再新建产线二次翻倍，当前InP衬底订单积压已超1亿美元。

Coherent在得州Sherman扩建6英寸InP与光互连产能，获美国《芯片法案》框架下最高5000万美元定向补贴，整体制造面积翻倍、InP晶圆产能提升至原有4倍。

但事情的关键在于中国掌控全球约七成铟产量，高纯铟是磷化铟的上游命脉。

2025年起中方对镓、锗及相关物项收紧出口管制后，日本住友等海外厂商的高纯铟采购压力骤升，有分析指出住友电工产能因此显著收缩、交付周期从3～6个月拉长至18个月以上。

五、国内目前原料强、模块强，但中间部分还在追

上游高纯铟国内基本自给，光模块环节中国已占全球前十大中的7席（中际旭创全球第一）。但光芯片占光模块成本超50%，这个环节仍以海外供应商为主；国内6英寸磷化铟衬底国产化率不足5%，与日系龙头在良率、可靠性上仍有明显差距。

云南锗业（控股子公司鑫耀半导体）已实现中小尺寸量产并在推进扩产（目标年产45万片折合4英寸，含6英寸小批量线），是国内唯一获得主流客户认证的衬底厂商之一。

欧莱新材（全资子公司欧莱铟科技）2022年7月7日公司“高纯铟回收提取循环利用项目”获得相关行政许可，2023年1月20日公司公开发明专利“一种废旧靶材中回收铟和锌的方法”，2024年2月23日公司发明专利“一种废旧靶材中回收铟和镓的方法”获得授权。2024年5月，高纯铟回收提取循环利用项目（一期）竣工公司此前在投资者互动平台表示，全资子公司欧莱铟专注于稀散金属的研发、生产及销售，已启动“6N级以上高纯铟制备工艺研究”和“磷化铟半导体材料制备工艺研究”在研项目立项。

磷化铟的本质不是涨价概念，是AI算力从单机走向超大规模集群时，光电转换栈里唯一没有被硅替代掉的物理基石，需求因1.6T/CPO呈阶跃式抬升，而供给侧因极端工艺壁垒和寡头格局形成长达数年的"硬缺口"，这才是一场真正的材料争夺战。